[發(fā)明專利]偏振片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980094850.3 | 申請日： | 2019-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN113647198A | 公開（公告）日： | 2021-11-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 森本剛司;品川玲子 | 申請（專利權(quán)）人： | 日東電工株式會社 |
| 主分類號： | H05B33/02 | 分類號： | H05B33/02;H01L51/50;G02B5/30;G09F9/30;H01L27/32;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 吳倩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 偏振 | ||
1.一種偏振片，其具有起偏器、保護層及粘合劑層，所述保護層配置于該起偏器的至少一側(cè)，
其中，所述偏振片在端部或其附近形成有貫通孔，
在將該偏振片介由該粘合劑層與玻璃板貼合的狀態(tài)下供于85℃及120小時的加熱試驗后，該偏振片在該貫通孔部分的偏移量為300μm以下。
2.一種偏振片，其具有起偏器、保護層及粘合劑層，所述保護層配置于該起偏器的至少一側(cè)，
其中，所述偏振片在端部或其附近形成有貫通孔，
從該粘合劑層的厚度方向最外部至該起偏器的厚度方向中心部為止的距離A(μm)、該起偏器的厚度Tpol(μm)、該粘合劑層的蠕變值Cpsa(μm/hr)、該粘合劑層的厚度Tpsa(μm)及該保護層的厚度Tpro(μm)滿足下述關(guān)系：
(A×Tpol)×(Cpsa×Tpsa)/Tpro＝K≤350×102(μm3/hr)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的偏振片，其中，所述起偏器的厚度Tpol為20μm以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的偏振片，其中，所述起偏器的厚度Tpol為10μm以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的偏振片，其中，所述偏振片在所述貫通孔部分的偏移量為120μm以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的偏振片，其中，所述粘合劑層的厚度Tpsa為10μm～22μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的偏振片，其中，所述偏振片的偏移量實質(zhì)上為所述粘合劑層的偏移量。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的偏振片，其中，所述貫通孔形成于角部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的偏振片，其中，將俯視所述起偏器時的從長邊方向中央至長邊方向端部為止的距離設(shè)為L1、將從該起偏器的長邊方向中央至所述貫通孔中心為止的長邊方向距離設(shè)為L2、將從該起偏器的短邊方向中央至短邊方向端部為止的距離設(shè)為W1并將從該起偏器的短邊方向中央至該貫通孔中心為止的短邊方向距離設(shè)為W2時，該貫通孔形成于滿足0.85≤L2/L1≤0.99及0.50≤W2/W1≤0.99的位置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的偏振片，其具有矩形形狀，所述起偏器的吸收軸方向?qū)嵸|(zhì)上平行于長邊方向。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的偏振片，其中，所述保護層僅配置于所述起偏器的一側(cè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的偏振片，其中，所述貫通孔的直徑為10mm以下。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項所述的偏振片，其縱橫比為1.3～2.5。
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