[發明專利]砷化鎵單晶基板在審
| 申請號： | 201980091920.X | 申請日： | 2019-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN113423876A | 公開（公告）日： | 2021-09-21 |
| 發明（設計）人： | 福永寬;森下昌紀;森分達也;橋尾克司 | 申請（專利權）人： | 住友電氣工業株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/42 | 分類號： | C30B29/42;C30B11/00 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 楊海榮;曲盛 |
| 地址： | 日本大阪*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 砷化鎵單晶基板 | ||
1.一種砷化鎵單晶基板，具有圓形主面，其中，
所述砷化鎵單晶基板在將所述主面的直徑表示為D、并且測定了通過將所述砷化鎵單晶基板在500℃的熔融氫氧化鉀中浸漬10分鐘而形成在所述主面上的蝕坑的個數的情況下，
以所述主面的中心為中心具有0.2D長度的直徑的第一圓區域中的所述蝕坑的個數C1為0以上且10以下。
2.如權利要求1所述的砷化鎵單晶基板，其中，所述砷化鎵單晶基板的所述第一圓區域中的所述蝕坑的個數C1為0以上且5以下。
3.如權利要求1或2所述的砷化鎵單晶基板，其中，所述砷化鎵單晶基板的以所述主面的中心為中心具有0.5D長度的直徑的第二圓區域中的所述蝕坑的個數C2與所述第一圓區域中的所述蝕坑的個數C1之差C2-C1為0以上且5以下。
4.如權利要求1～3中任一項所述的砷化鎵單晶基板，其中，所述砷化鎵單晶基板的表示所述主面每1cm2中的所述蝕坑的個數的蝕坑密度為0以上且1000以下。
5.如權利要求1～4中任一項所述的砷化鎵單晶基板，其中，所述砷化鎵單晶基板的所述D為75mm以上且205mm以下。
6.如權利要求1～5中任一項所述的砷化鎵單晶基板，其中，所述砷化鎵單晶基板的所述主面為{100}面。
7.如權利要求1～5中任一項所述的砷化鎵單晶基板，其中，所述砷化鎵單晶基板的所述主面為相對于{100}面具有大于0°且15°以下的偏角的面。
8.如權利要求1～7中任一項所述的砷化鎵單晶基板，其中，所述砷化鎵單晶基板的導電型為n型。
9.如權利要求1～8中任一項所述的砷化鎵單晶基板，其中，所述砷化鎵單晶基板含有硅，并且
所述硅的原子濃度為1×1016cm-3以上且1×1019cm-3以下。
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