[發明專利]棱鏡、光學器件、棱鏡的制造方法和封裝體器件的制造方法在審
| 申請號: | 201980090897.2 | 申請日: | 2019-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN113383428A | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發明(設計)人: | 山口義正 | 申請(專利權)人: | 日本電氣硝子株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/02 | 分類號: | H01L31/02;H01L31/0232;G02B5/04 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;池兵 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 棱鏡 光學 器件 制造 方法 封裝 | ||
1.一種棱鏡,其特征在于,包括:
棱鏡主體,其具有底面和與所述底面相連的斜面;和
設置在所述底面上的密合膜,
所述密合膜具有:位于所述棱鏡主體側的第一層部分;和直接或間接地層疊在所述第一層部分上的第二層部分,
所述第二層部分包含Au層和Sn層中的至少一者。
2.根據權利要求1所述的棱鏡,其特征在于:
在所述第二層部分,所述Au層和所述Sn層交替地層疊。
3.根據權利要求1或2所述的棱鏡,其特征在于:
所述第二層部分具有所述Au層和所述Sn層兩者,在所述Au層與所述Sn層之間設置有由Au和Sn的合金構成的Au-Sn層。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的棱鏡,其特征在于:
在所述密合膜的層疊方向上,設遠離所述棱鏡主體的一側為外側時,所述第二層部分的最外層為所述Au層。
5.根據權利要求2~4中任一項所述的棱鏡,其特征在于:
所述第二層部分具有多個所述Au層和多個所述Sn層兩者,所述Au層和所述Sn層交替地層疊,
所述第二層部分具有應力緩和層,
在所述應力緩和層為所述多個Au層中的一層的情況下,所述應力緩和層的厚度與其它的所述Au層的平均厚度不同,
在所述應力緩和層為所述多個Sn層中的一層的情況下,所述應力緩和層的厚度與其它的所述Sn層的平均厚度不同。
6.根據權利要求5所述的棱鏡,其特征在于:
所述應力緩和層的厚度為其它的所述Au層或其它的所述Sn層的平均厚度的1/2以上5倍以下。
7.根據權利要求5所述的棱鏡,其特征在于:
所述應力緩和層的厚度為其它的所述Au層或其它的所述Sn層的平均厚度的1/5以上1/2以下。
8.根據權利要求1~4中任一項所述的棱鏡,其特征在于:
在所述密合膜的層疊方向上,設遠離所述棱鏡主體的一側為外側時,所述第二層部分的最外層為所述第二層部分中最薄的層。
9.根據權利要求8所述的棱鏡,其特征在于:
在所述第二層部分,越是位于外側的層越薄。
10.根據權利要求4所述的棱鏡,其特征在于:
所述第二層部分具有多個所述Au層和多個所述Sn層兩者,
所述多個Au層的厚度彼此相同,并且,所述多個Sn層中,越是位于外側的Sn層,厚度越厚。
11.根據權利要求4所述的棱鏡,其特征在于:
所述第二層部分具有多個所述Au層和多個所述Sn層兩者,
所述多個Au層中,越是位于外側的Au層,厚度越薄,并且所述多個Sn層的厚度彼此相同。
12.根據權利要求1~11中任一項所述的棱鏡,其特征在于:
所述第二層部分中的所述Au層和所述Sn層的合計層數為3層以上99層以下。
13.根據權利要求12所述的棱鏡,其特征在于:
所述第二層部分中的所述Au層和所述Sn層的合計層數為15層以上35層以下。
14.根據權利要求1~13中任一項所述的棱鏡,其特征在于:
所述密合膜的整體厚度為1μm以上10μm以下。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





