[發(fā)明專利]用于促進(jìn)波導(dǎo)內(nèi)的全內(nèi)反射的氣穴結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980090867.1 | 申請日: | 2019-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN113454507A | 公開(公告)日: | 2021-09-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄧曉培;V·辛格;楊書強(qiáng);K·羅;N-W·皮;F·Y·徐 | 申請(專利權(quán))人: | 奇躍公司 |
| 主分類號: | G02B6/10 | 分類號: | G02B6/10;G02B6/122;G02B27/01 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 姜利芳;于靜 |
| 地址: | 美國佛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 促進(jìn) 波導(dǎo) 反射 氣穴 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種制造光學(xué)系統(tǒng)的方法,包括:
將選定透明材料的蓋層固定到具有前側(cè)和后側(cè)的高折射率透明材料的波導(dǎo),在所述蓋層和所述波導(dǎo)之間限定腔,在所述腔中具有光學(xué)氣體,以使得如果環(huán)境光源位于所述波導(dǎo)的所述前側(cè),則環(huán)境光束在所述蓋層的所述選定透明材料中、在容納所述光學(xué)氣體的所述腔中以及在所述波導(dǎo)的所述高折射率透明材料中傳輸。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述蓋層是位于所述環(huán)境光源和所述波導(dǎo)的所述前側(cè)之間的前蓋層,并且所述環(huán)境光束順序地透射通過所述前蓋層的所述選定透明材料、通過容納所述光學(xué)氣體的所述腔并進(jìn)入所述波導(dǎo)的所述高折射率透明材料。
3.如權(quán)利要求2所述的方法,其中,所述前蓋層的所述選定透明材料是減反射材料,其增加所述波導(dǎo)的所述前表面對所述環(huán)境光的吸收并減少所述波導(dǎo)的所述前表面對所述環(huán)境光的反射。
4.如權(quán)利要求3所述的方法,其中,所述高折射率材料是高折射率玻璃、高折射率鈮酸鋰、鉭酸鋰和碳化硅中的一種。
5.如權(quán)利要求3所述的方法,其中,所述高折射率材料具有至少1.74的折射率。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述光學(xué)氣體具有小于1.3的折射率。
7.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述光學(xué)氣體是折射率為1的空氣。
8.如權(quán)利要求1所述的方法,還包括:
形成包括所述波導(dǎo)、固體致孔劑材料和所述蓋層的堆疊;和
用所述光學(xué)氣體代替所述致孔劑材料。
9.如權(quán)利要求8所述的方法,其中,通過以下方式去除所述致孔劑材料:
將所述致孔劑材料加熱至分解溫度,其中所述致孔劑材料變成犧牲氣體;和
從所述腔中去除所述犧牲氣體。
10.如權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述蓋層的所述選定材料是多孔的,并且所述犧牲氣體通過所述蓋層的所述選定材料放氣。
11.如權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述致孔劑材料在120℃至230℃之間的分解溫度下分解。
12.如權(quán)利要求10所述的方法,其中,所述蓋層由具有至少12nm厚度的SiOx制成,其中x是可變的。
13.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,在所述蓋層和所述波導(dǎo)之間限定多個腔,并且在每個相應(yīng)的腔中具有光學(xué)氣體。
14.如權(quán)利要求13所述的方法,還包括:
形成所述波導(dǎo)的所述前側(cè)以具有多個凹槽和多個凸起構(gòu)造,每個凸起構(gòu)造位于兩個凹槽之間;和
用所述凸起構(gòu)造支撐所述蓋層的第一部分,其中,所述蓋層的位于所述蓋層的所述第一部分之間的第二部分位于所述凹槽上方,以使得所述腔中的相應(yīng)一個腔由所述蓋層的所述第二部分中的相應(yīng)一個第二部分和所述波導(dǎo)的所述前側(cè)中的相應(yīng)一個溝槽限定。
15.如權(quán)利要求14所述的方法,其中,每個凹槽具有深度和寬度,并且所述寬度小于300微米。
16.如權(quán)利要求14所述的方法,其中,所述凹槽被壓印在所述前側(cè)上。
17.如權(quán)利要求14所述的方法,還包括:
在所述波導(dǎo)的所述前側(cè)形成共形層,所述共形層由透明材料制成。
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