[發(fā)明專利]多束檢查裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980087246.8
• 申請日: 2019-11-26
• 公開（公告）號: CN113614873A
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 任偉明;張乾;胡學(xué)讓;劉學(xué)東
• 申請（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: H01J37/147
• 分類號: H01J37/147
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 趙林琳

公開了微結(jié)構(gòu)偏轉(zhuǎn)器陣列(622)，微結(jié)構(gòu)偏轉(zhuǎn)器陣列(622)包括多個多極結(jié)構(gòu)(622?1至622?47)。微偏轉(zhuǎn)器的偏轉(zhuǎn)器陣列包括具有距陣列中心軸線第一徑向偏移的第一多極結(jié)構(gòu)(622?26、……622?47)以及具有距陣列中心軸線第二徑向偏移的第二多極結(jié)構(gòu)(622?1)。第一徑向偏移大于第二徑向偏移，并且第一多極結(jié)構(gòu)包括比第二多極結(jié)構(gòu)更多數(shù)量的極電極，以在多個多極結(jié)構(gòu)將多個帶電粒子束偏轉(zhuǎn)時減少偏轉(zhuǎn)像差。微結(jié)構(gòu)偏轉(zhuǎn)器陣列可以被包含在多束檢查裝置的改進(jìn)的源轉(zhuǎn)換單元中。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2018年12月31日提交的美國申請62/787,157的優(yōu)先權(quán)，該申請通過整體引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本文中提供的實施例總體上涉及多束檢查裝置，并且更具體地涉及包括改進(jìn)的源轉(zhuǎn)換單元的多束檢查裝置。

背景技術(shù)

在制造半導(dǎo)體集成電路(IC)芯片時，在制造過程期間，晶片或掩模上不可避免地會出現(xiàn)圖案缺陷或異物粒子(殘留物)，從而降低產(chǎn)率。例如，對于具有較小關(guān)鍵特征尺寸的圖案，異物粒子可能會帶來麻煩，而較小關(guān)鍵特征尺寸已被采用來滿足IC芯片越來越先進(jìn)的性能要求。

具有帶電粒子束的圖案檢查工具已被用于檢測缺陷或異物粒子。這些工具通常采用掃描電子顯微鏡(SEM)。在SEM中，具有相對高能量的初級電子束被減速，以相對低的著陸能量落在樣本上并且被聚焦以在其上形成探測點。由于初級電子的該聚焦探測點，次級電子將從表面生成。次級電子可以包括由初級電子與樣本的相互作用產(chǎn)生的反向散射電子、次級電子或俄歇電子。通過掃描樣本表面之上的探測點并收集次級電子，圖案檢查工具可以獲得樣本表面的圖像。

發(fā)明內(nèi)容

本文提供的實施例公開了粒子束檢查裝置，并且更具體地公開了使用多個帶電粒子束的檢查裝置。

在一些實施例中，檢查裝置中的微結(jié)構(gòu)偏轉(zhuǎn)器陣列包括多個多極結(jié)構(gòu)，每個多極結(jié)構(gòu)包括多個極電極。微偏轉(zhuǎn)器陣列包括：多個多極結(jié)構(gòu)中的第一多極結(jié)構(gòu)，第一多極結(jié)構(gòu)具有距陣列中心軸線的第一徑向偏移；以及多個多極結(jié)構(gòu)中的第二多極結(jié)構(gòu)，第二多極結(jié)構(gòu)具有距陣列中心軸線的第二徑向偏移。第一徑向偏移大于第二徑向偏移。此外，第一多極結(jié)構(gòu)包括比第二多極結(jié)構(gòu)更多數(shù)量的極電極，以在多個多極結(jié)構(gòu)將多個帶電粒子束偏轉(zhuǎn)時，減少偏轉(zhuǎn)像差。

在一些實施例中，微結(jié)構(gòu)偏轉(zhuǎn)器陣列可以包括多極結(jié)構(gòu)的一個或多個層。多個多極結(jié)構(gòu)的第一層包括具有距陣列中心軸線的第一徑向偏移的第一多極結(jié)構(gòu)以及具有距陣列中心軸線的第二徑向偏移的第二多極結(jié)構(gòu)。第一徑向偏移大于第二徑向偏移。此外，第一多極結(jié)構(gòu)包括比第二多極結(jié)構(gòu)更多數(shù)量的極電極，以減少對應(yīng)帶電粒子束的偏轉(zhuǎn)像差。微結(jié)構(gòu)偏轉(zhuǎn)器陣列還包括多個多極結(jié)構(gòu)的第二多極結(jié)構(gòu)層，第二多極結(jié)構(gòu)層包括具有距陣列中心軸線的第三徑向偏移的第三多極結(jié)構(gòu)。

在一些實施例中，提供了制造微結(jié)構(gòu)偏轉(zhuǎn)器陣列的方法。微結(jié)構(gòu)偏轉(zhuǎn)器陣列包括多個多極結(jié)構(gòu)并且每個多極結(jié)構(gòu)包括多個極電極。方法包括將第一多極結(jié)構(gòu)形成為距陣列中心軸線具有第一徑向偏移。方法還包括將第二多極結(jié)構(gòu)形成為距陣列中心軸線具有第二徑向偏移，其中第一徑向偏移大于第二徑向偏移并且第一多極結(jié)構(gòu)具有與第二多極結(jié)構(gòu)不同數(shù)量的極電極。

通過結(jié)合附圖進(jìn)行的以下描述，本發(fā)明的其他優(yōu)點將變得顯而易見，在附圖中通過例示和示例的方式闡述了本發(fā)明的某些實施例。

附圖說明

通過結(jié)合附圖對示例性實施例的描述，本公開的上述和其他方面將變得更加明顯。

圖1是圖示了與本公開的實施例一致的示例性帶電粒子束檢查系統(tǒng)的示意圖。

圖2是圖示了與本公開的實施例一致的作為圖1的示例性帶電粒子束檢查系統(tǒng)的一部分的示例性多束裝置的示意圖。