[發明專利]多能干細胞用未分化維持培養基

在審

• 申請號: 201980079805.0
• 申請日: 2019-12-06
• 公開（公告）號: CN113166723A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 渡邊剛広;澤口智哉;山崎萌
• 申請（專利權）人: 關東化學株式會社
• 主分類號: C12N5/0735
• 分類號: C12N5/0735;C12N5/10
• 代理公司: 上海一平知識產權代理有限公司 31266
• 代理人: 徐迅;馬莉華

1.一種多能干細胞貼壁培養用培養基，其中，含有親水性聚合物，實質上不含白蛋白。

2.根據權利要求1所述的培養基，其中，還含有抗氧化物質。

3.根據權利要求1或2所述的培養基，其中，親水性聚合物為聚乙烯醇或聚乙烯吡咯烷酮。

4.根據權利要求2或3所述的培養基，其中，抗氧化物質為選自N-乙酰-L-半胱氨酸、還原型谷胱甘肽、維生素C、維生素E和綠原酸的至少1種。

5.根據權利要求2～4中的任一項所述的培養基，其中，抗氧化物質為N-乙酰-L-半胱氨酸。

6.根據權利要求1～5中的任一項所述的培養基，其中，還含有除白蛋白以外的蛋白質成分。

7.根據權利要求6所述的培養基，其中，除白蛋白以外的蛋白質成分為選自胰島素、轉鐵蛋白和堿性成纖維細胞生長因子(bFGF)的至少1種。

8.根據權利要求1～7中的任一項所述的培養基，其中，還含有分化抑制劑。

9.根據權利要求8所述的培養基，其中，分化抑制劑為GSK3β(糖原合成酶激酶3β)抑制劑、和/或DYRK(雙重特異性酪氨酸磷酸化調節激酶)抑制劑。

10.根據權利要求9所述的培養基，其中，GSK3β抑制劑為1-氮雜坎帕羅酮。

11.根據權利要求9所述的培養基，其中，DYRK抑制劑為ID-8。

12.根據權利要求1～11中的任一項所述的培養基，其中，還含有NFAT(活化T細胞核因子)抑制劑。

13.根據權利要求12所述的培養基，其中，NFAT抑制劑為他克莫司。

14.根據權利要求1～13中的任一項所述的培養基，其中，多能干細胞來源于人。

15.根據權利要求1～14中的任一項所述的培養基，其中，多能干細胞為人工多能干細胞(iPS細胞)。

16.一種多能干細胞貼壁培養用培養基，其中，含有親水性聚合物、抗氧化物質以及由GSK3β抑制劑和DYRK抑制劑形成的分化抑制劑。

17.一種多能干細胞的培養方法，其中，使用權利要求1～16中的任一項所述的培養基。

18.一種增強多能干細胞對培養基材的粘附的方法，其中，包括向培養基中添加親水性聚合物的工序。

19.一種多能干細胞，其中，該細胞通過權利要求17或18所述的方法制造。