[發明專利]使用灰度光刻形成三維結構

在審

• 申請號: 201980078329.0
• 申請日: 2019-11-11
• 公開（公告）號: CN113168113A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: P.庫薩;G.埃爾姆斯泰納
• 申請（專利權）人: ams有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 鄧亞楠

1.一種形成三維結構的方法，所述方法包括:

在層上施加光致抗蝕劑；

使用光刻系統曝光所述光致抗蝕劑，其中所述光刻系統包括其上具有圖案的光掩模，所述圖案在所述光掩模的表面上提供變化的圖案密度，并且具有小于所述光刻系統的分辨率的間距；

隨后顯影所述光致抗蝕劑，使得保留在所述層上的光致抗蝕劑具有由所述光掩模限定的三維輪廓；以及

使用各向同性蝕刻劑蝕刻所述層，使得所述光致抗蝕劑的所述三維輪廓轉移到所述層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述層由二氧化硅組成。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述光掩模的所述圖案密度從所述圖案的第一端到所述圖案的相對的第二端連續增加。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中所述光掩模上的所述圖案的所述圖案密度通過在光阻擋層中使用不同尺寸的開口而連續變化。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中所述圖案具有恒定的間距尺寸。

6.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中所述圖案具有被調制的間距尺寸。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其中所述各向同性蝕刻劑包括氟。

8.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其中所述層在光感測設備上方。

9.根據權利要求8所述的方法，還包括在所述三維輪廓被轉移到的所述層的表面上形成光學濾波器層。

10.根據權利要求8所述的方法，還包括在所述三維輪廓被轉移到的所述層的表面上形成光學濾波器層的堆疊。

11.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，所述三維輪廓被轉移到的所述層用作法布里-珀羅干涉儀的腔。

12.根據權利要求1至11中任一項所述的方法，其中所述光掩模上的所述圖案包括邊界區域布局。

13.根據權利要求2所述的方法，其中所述各向同性蝕刻劑導致所述光致抗蝕劑的蝕刻速率與二氧化硅的蝕刻速率大致相同。

14.根據權利要求1至13中任一項所述的方法，其中所述三維輪廓具有楔形。

15.根據權利要求1至13中任一項所述的方法，其中所述三維輪廓具有連續增加的厚度。

16.一種光感測設備，包括:

具有光敏區域的光電二極管；以及

設置在所述光敏區域上方的后端氧化物層，其中所述氧化物層是楔形的。

17.根據權利要求16所述的光感測設備，其中所述氧化物層由二氧化硅組成。

18.根據權利要求16或17所述的光感測設備，其中所述氧化物層在所述光敏區域上具有連續增加的厚度。

19.根據權利要求16至18中任一項所述的光感測設備，還包括在所述氧化物層的表面上的光學濾波器層。

20.根據權利要求16至18中任一項所述的光感測設備，還包括在所述氧化物層的表面上的光學濾波器層的堆疊。