[發明專利]具有凹槽的扇出型封裝件在審
| 申請號: | 201980076961.1 | 申請日: | 2019-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN113196465A | 公開(公告)日: | 2021-07-30 |
| 發明(設計)人: | S·李;B·索耶爾;C-T·仇 | 申請(專利權)人: | 洛克利光子有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/00 | 分類號: | H01L23/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 董婕;陳嵐 |
| 地址: | 英國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 凹槽 扇出型 封裝 | ||
一種將包括第一半導體管芯(120)的扇出型封裝件與第二半導體管芯(110)集成的系統。在一些實施方案中,所述扇出型封裝件包括第一半導體管芯(120)、在至少兩側上覆蓋所述第一半導體管芯的模塑料(305)以及在所述第一半導體管芯的下表面上的電觸頭。所述扇出型封裝件可以具有沿著所述扇出型封裝件的下邊緣的一部分的槽口(315)。
相關申請的交叉引用
本申請要求2018年11月21日提交的標題為“FAN-OUT PACKAGE WITH RABBET”的美國臨時申請第62/770,500號的優先權和權益,所述申請的全部內容以引用的方式并入文本。
技術領域
根據本公開的實施方案的一個或多個方面涉及封裝,并且更具體地涉及具有槽口的扇出型封裝件。
背景技術
在將光電子裝置連接到電子集成電路的應用中,尤其是在高速應用中,將各部分緊密地定位在一起以使它們之間的電氣路徑可能短可能是有利的。例如,如果電子集成電路的封裝件具有比電子集成電路管芯大得多的包絡,并且如果在光電子裝置和電子集成電路的封裝件之間存在潛在的機械干擾,則這可能是挑戰性的。
因此,需要用于集成光電子裝置和電子集成電路的改進的系統和方法。
發明內容
根據本發明的實施方案,提供了一種系統,其包括:扇出型封裝件,其包括:第一半導體管芯;模塑料,其在至少兩側上覆蓋所述第一半導體管芯;以及在所述第一半導體管芯的下表面上的電觸頭,所述扇出型封裝件具有沿著所述扇出型封裝件的下邊緣的一部分的槽口。
在一些實施方案中,所述槽口的豎直深度在10微米和500微米之間。
在一些實施方案中,所述槽口的水平深度在10微米和500微米之間。
在一些實施方案中,所述扇出型封裝件還包括重分布層,所述重分布層在所述扇出型封裝件的下表面上。
在一些實施方案中,所述槽口的豎直表面的一部分是所述重分布層的邊緣表面。
在一些實施方案中,所述槽口不延伸到所述第一半導體管芯中。
在一些實施方案中,所述系統還包括:第二半導體管芯;以及共享支撐元件,所述第二半導體管芯和所述扇出型封裝件二者都固定到所述共享支撐元件的上表面。
在一些實施方案中,所述系統還包括在所述第一半導體管芯和所述第二半導體管芯之間的導電路徑,所述導電路徑的長度小于200微米。
在一些實施方案中,所述第二半導體管芯與所述扇出型封裝件之間的間隙為至少2微米。
在一些實施方案中,所述第二半導體管芯與所述扇出型封裝件之間的間隙為至多100微米。
在一些實施方案中,所述第二半導體管芯的上邊緣延伸到所述槽口中。
在一些實施方案中,所述系統還包括在所述扇出型封裝件和所述共享支撐元件之間的一層底部填充物,所述一層底部填充物水平地延伸到所述第二半導體管芯。
在一些實施方案中,所述底部填充物不比所述第二半導體管芯的最遠離所述扇出型封裝件的部分從所述扇出型封裝件延伸得更遠。
根據本發明的實施方案,提供了一種用于制造扇出型封裝件的方法,所述方法包括:制造載體,所述載體包括:一層模塑料;嵌入在所述模塑料中的多個半導體管芯;以及在所述半導體管芯和所述模塑料上的重分布層;在所述載體中切割第一通道,所述第一通道具有第一寬度和第一深度,并且在所述多個半導體管芯的第一半導體管芯和所述多個半導體管芯的第二半導體管芯之間延伸;以及在所述載體中所述第一通道內切割第二通道,所述第二通道具有小于所述第一寬度的第二寬度和從所述載體的上表面起的大于所述第一深度的第二深度。
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