[發(fā)明專利]具有凹槽的扇出型封裝件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980076961.1 | 申請(qǐng)日： | 2019-11-20 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN113196465A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-07-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | S·李;B·索耶爾;C-T·仇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 洛克利光子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/00 | 分類號(hào)： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 董婕;陳嵐 |
| 地址： | 英國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 凹槽 扇出型 封裝 | ||
1.一種系統(tǒng)，其包括：
扇出型封裝件，其包括：
第一半導(dǎo)體管芯；
模塑料，其在至少兩側(cè)上覆蓋所述第一半導(dǎo)體管芯；以及
電觸頭，其在所述第一半導(dǎo)體管芯的下表面上，
所述扇出型封裝件具有沿著所述扇出型封裝件的下邊緣的一部分的槽口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述槽口的豎直深度在10微米和500微米之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中所述槽口的水平深度在10微米和500微米之間。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中所述扇出型封裝件還包括重分布層，所述重分布層在所述扇出型封裝件的下表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中所述槽口的豎直表面的一部分是所述重分布層的邊緣表面。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中所述槽口不延伸到所述第一半導(dǎo)體管芯中。
7. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其還包括：
第二半導(dǎo)體管芯；和
共享支撐元件，
所述第二半導(dǎo)體管芯和所述扇出型封裝件二者都固定到所述共享支撐元件的上表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其還包括在所述第一半導(dǎo)體管芯和所述第二半導(dǎo)體管芯之間的導(dǎo)電路徑，所述導(dǎo)電路徑的長(zhǎng)度小于200微米。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述第二半導(dǎo)體管芯與所述扇出型封裝件之間的間隙為至少2微米。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中所述第二半導(dǎo)體管芯與所述扇出型封裝件之間的所述間隙為至多100微米。
11.根據(jù)權(quán)利要求7至10中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中所述第二半導(dǎo)體管芯的上邊緣延伸到所述槽口中。
12.根據(jù)權(quán)利要求7至11中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其還包括在所述扇出型封裝件和所述共享支撐元件之間的一層底部填充物，所述一層底部填充物水平地延伸到所述第二半導(dǎo)體管芯。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中所述底部填充物不比所述第二半導(dǎo)體管芯的最遠(yuǎn)離所述扇出型封裝件的部分從所述扇出型封裝件延伸得更遠(yuǎn)。
14.一種用于制造扇出型封裝件的方法，所述方法包括：
制造載體，所述載體包括：
一層模塑料；
多個(gè)半導(dǎo)體管芯，其嵌入在所述模塑料中；以及
重分布層，其在所述半導(dǎo)體管芯和所述模塑料上；
在所述載體中切割第一通道，所述第一通道具有第一寬度和第一深度，并且在所述多個(gè)半導(dǎo)體管芯的第一半導(dǎo)體管芯和所述多個(gè)半導(dǎo)體管芯的第二半導(dǎo)體管芯之間延伸；以及
在所述載體中所述第一通道內(nèi)切割第二通道，所述第二通道具有小于所述第一寬度的第二寬度和從所述載體的上表面起的大于所述第一深度的第二深度。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第二通道的深度等于所述載體的厚度，并且用于將所述載體在所述第二通道的一側(cè)上的一部分與所述載體在所述第二通道的另一側(cè)上的一部分分開(kāi)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15或權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第一通道的寬度超過(guò)所述第二通道的寬度達(dá)30微米和100微米之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求14至16中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述第一通道的深度在30微米和100微米之間。
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