[發明專利]用于堆疊體沉積的增強的納米線結構

有效

• 申請號: 201980076768.8
• 申請日: 2019-11-21
• 公開（公告）號: CN113165868B
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: 朱利安·埃爾薩巴希;弗雷德里克·瓦龍;保羅-亨利·奧梅塞;皮埃爾·諾埃;久伊·帕拉特
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所;原子能與替代能源委員會
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01L29/92;H01L29/06;B82Y10/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 冷永華;蔡勝有

1.一種電容結構(1800)，包括：

第一導電層(1308)；

具有與所述第一導電層(1308)接觸的第一端和從所述第一導電層(1308)突出的第二端的第一導電線(1316)；

橫向地連接一定數量的第一導電線(1008、1316)以在所述第一導電線(1008、1316)之間提供基本均勻的間距的第一橫向橋層(1010、1102、1202、1320)，其中所述第一橫向橋層(1010、1102、1202)包括覆蓋所述第一導電線(1008、1316)的至少一些的所述第二端的覆蓋層(1010、1202、1320)，所述覆蓋層(1010、1202、1320)的材料不同于所述第一導電線(1008、1316)的材料；以及

涂覆所述第一導電線(1008、1316)和所述覆蓋層(1010、1202、1320)的電極-絕緣體-電極(EIE)堆疊體或絕緣體-電極(IE)堆疊體(1802、1804)。

2.根據權利要求1所述的電容結構(1800)，其中所述第一橫向橋層(1010、1102、1202、1320)包括經由它們的外壁橫向地連接至少一些所述第一導電線(1008)的橫向延伸部(1102)。

3.根據權利要求1或2所述的電容結構(1800)，其中所述覆蓋層(1010、1202、1320)是連續的、半連續的、或者不連續的層。

4.根據權利要求1至2中任一項所述的電容結構(1800)，還包括：

具有與所述覆蓋層(1010、1202、1320)接觸的第一端和從所述覆蓋層(1010、1202、1320)突出的第二端的第二導電線；以及

橫向地連接一定數量的所述第二導電線以在所述第二導電線之間提供基本均勻的間距的第二橫向橋層。

5.根據權利要求4所述的電容結構(1800)，其中所述第二橫向橋包括：

覆蓋至少一些所述第二導電線的所述第二端的覆蓋層；或者

經由它們的外壁橫向地連接至少一些所述第二導電線的橫向延伸部。

6.根據權利要求4所述的電容結構(1800)，其中所述電極-絕緣體-電極(EIE)堆疊體或所述絕緣體-電極(IE)堆疊體(1802、1804)進一步涂覆所述第二導電線。

7.根據權利要求1至2中任一項所述的電容結構(1800)，包括：

鄰接并橫向地包圍所述第一導電線(1008)的隔離側壁。

8.一種制造電子產品的方法，包括：

在基底(1302、1304)上形成陽極蝕刻停止層(1308)；

在所述陽極蝕刻停止層(1308)上形成可陽極化層(1310)；

對所述可陽極化層(1310)進行陽極化以形成具有孔的陽極氧化物區域(1314)；

在所述陽極氧化物區域(1314)的孔內形成具有與所述陽極蝕刻停止層(1308)接觸的第一端和從所述陽極蝕刻停止層(1308)突出的第二端的導電線(1316)；

形成橫向地連接一定數量的所述導電線(1316)的橫向橋層(1318、1320)，其中形成所述橫向橋層(1318、1320)包括在所述陽極氧化物區域的頂表面上形成覆蓋所述導電線的至少一些的所述第二端的覆蓋層(1318、1320)，所述覆蓋層(1318、1320)的材料不同于所述導電線(1316)的材料；

部分地或完全地溶解所述陽極氧化物區域(1314)，其中部分地或完全地溶解所述陽極氧化物區域(1314)包括控制所述陽極氧化物區域(1314)的蝕刻過程以減少在所述陽極蝕刻停止層(1308)與所述導電線(1316)的界面處的蝕刻；以及

在所述導電線和所述覆蓋層(1318、1320)上形成電極-絕緣體-電極(EIE)堆疊體或絕緣體-電極(IE)堆疊體(1802、1804)。