[發明專利]具有多層膜片的半導體換能器裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201980073075.3
• 申請日: 2019-10-24
• 公開（公告）號: CN113056660B
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發明（設計）人: 亞歷山大·費斯;耶格·西格特;威廉·弗雷德里克·阿德里亞努斯·貝斯林;瑞曼科·亨里克斯·威廉姆斯·皮內伯格
• 申請（專利權）人: 希奧檢測有限公司
• 主分類號: G01L9/00
• 分類號: G01L9/00;H04R19/00;H04R31/00;G01P15/125;B81B3/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413
• 代理人: 侯麗英;劉繼富

1.一種制造半導體換能器裝置的方法，所述方法包括：

-提供半導體主體(1)，

-在所述半導體主體(1)的表面上方形成犧牲層(5)，

-在所述犧牲層(5)上施加膜片(10)，以及

-通過將蝕刻劑引入到所述膜片(10)的開口(11)中來去除所述犧牲層(5)，

其中，施加膜片(10)包括

-施加包括鈦和/或氮化鈦的第三層，

-施加包括鎢的第一層(7)，其中，所述第一層(7)施加在第三層(6)中的背離所述半導體主體(1)的表面上，

-減小所述第一層(7)中的背離所述半導體主體(1)的表面(15)的粗糙度以實現經處理的表面(16)，其中，所述經處理的表面(16)具有算數平均值Ra為2nm至10nm的粗糙度輪廓，以及

-將所述第一層(7)圖案化和結構化以形成所述開口(11)。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，減小粗糙度包括拋光。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述經處理的表面(16)具有算術平均值Ra等于或小于5nm的粗糙度輪廓。

4.根據權利要求1至3之一所述的方法，其中，施加膜片(10)還包括在所述經處理的表面(16)上施加第二層(8)。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，施加第二層(8)包括施加鈦和/或氮化鈦。

6.根據權利要求1至3之一所述的方法，還包括：

-在所述半導體主體(1)與所述犧牲層(5)之間施加電極層(3)，

-形成將所述電極層(3)和所述半導體主體(1)的電路的端子互連的通孔(12)，以及

-形成將所述膜片(10)和所述半導體主體(1)的電路的另外的端子互連的另外的通孔(13)。

7.根據權利要求6所述的方法，還包括在所述半導體主體(1)與所述電極層(3)之間施加覆蓋層(2)。

8.根據權利要求1至3之一所述的方法，還包括在所述半導體主體(1)與所述犧牲層(5)之間施加蝕刻停止層(4)。

9.根據權利要求1至3之一所述的方法，其中，所述膜片(10)施加在所述犧牲層(5)的基本平坦的表面上。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，減小粗糙度包括化學機械拋光CMP。

11.一種半導體換能器裝置，包括：

-半導體主體(1)，以及

-具有第一層(7)和第三層(6)的膜片(10)，所述第三層(6)包括鈦和/或氮化鈦，

其中

-所述膜片(10)的主延伸平面被布置為平行于所述半導體主體(1)的表面，

-所述膜片(10)在垂直于所述膜片(10)的主延伸平面的方向上在距所述半導體主體(1)一定距離處懸置，

-所述第一層(7)包括具有預定平滑度的經處理的表面(16)，其中，所述經處理的表面(16)背離所述半導體主體(1)，其中，所述經處理的表面(16)具有算數平均值Ra為2nm至10nm的粗糙度輪廓，

-所述第一層(7)包括鎢并且被布置在所述第三層(6)中的背離所述半導體主體(1)的表面上。

12.根據權利要求11所述的半導體換能器裝置，

其中，所述半導體主體(1)還包括集成電路(14)。

13.一種壓力傳感器，包括根據權利要求11或12所述的半導體換能器裝置。

14.一種移動設備，包括具有根據權利要求11或12所述的半導體換能器裝置的壓力傳感器。