[發(fā)明專利]用于等離子弧切割系統(tǒng)的消耗筒在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980072920.5 | 申請(qǐng)日: | 2019-11-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112913335A | 公開(公告)日: | 2021-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | N·A·桑德斯;P·J·特瓦羅;E·M·施普爾斯基;張宇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 海別得公司 |
| 主分類號(hào): | H05H1/34 | 分類號(hào): | H05H1/34 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張小文;王麗輝 |
| 地址: | 美國(guó)新罕*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 等離子 切割 系統(tǒng) 消耗 | ||
1.一種用于可替換整體式消耗筒的框架,所述可替換整體式消耗筒配置為安裝到等離子弧焊炬中,所述框架包括:
中空本體,所述中空本體適于接收可平移的接觸啟動(dòng)電極,所述本體具有內(nèi)表面和外表面,所述本體包括:
大體上圓柱形的金屬芯;
電絕緣包覆成型塑料殼體,所述電絕緣包覆成型塑料殼體至少大體上包圍所述大體上圓柱形的金屬芯的遠(yuǎn)端的圓周,以及
一組流道,所述流道流體連接所述中空本體的所述外表面和所述中空本體的所述內(nèi)表面,所述流道偏移,以向通過其的等離子氣體賦予渦流流體流動(dòng)型態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框架,其中,所述大體上圓柱形的金屬芯通過沖壓形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框架,其中,所述大體上圓柱形的金屬芯由黃銅制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框架,其中,所述大體上圓柱形的金屬芯包括陽(yáng)極化部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框架,其中,所述一組流道中的每個(gè)流道都從其他流道徑向偏移。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框架,其中,所述流道具有約一平方英寸的總橫截面面積。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框架,其中,所述框架的第一端配置為連接到噴嘴。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的框架,其中,所述一組流道延伸到另一部件中,所述另一部件不可分離地附接到所述噴嘴的前面。
9.一種冷卻等離子弧焊炬的方法,所述方法包括:
提供具有框架的復(fù)合消耗品,所述框架限定多個(gè)孔,所述復(fù)合消耗品具有包括電極、噴嘴和護(hù)罩的集成部件,所述孔流體連接所述框架的外表面和所述框架的內(nèi)表面,所述孔偏移,以向通過其的等離子氣體賦予渦流流體流動(dòng)型態(tài);
將所述復(fù)合消耗品安裝在所述等離子弧焊炬中;以及
使冷卻流體流過所述多個(gè)孔,所述冷卻流體形成冷卻所述電極、噴嘴或護(hù)罩中的至少一個(gè)的流體流動(dòng)型態(tài),
其中,所述框架適于接收可平移的接觸啟動(dòng)電極,并且包括i)大體上圓柱形的金屬芯;以及ii)電絕緣包覆成型塑料殼體,所述電絕緣包覆成型塑料殼體至少大體上包圍所述大體上圓柱形的金屬芯的遠(yuǎn)端的圓周。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述大體上圓柱形的金屬芯通過沖壓形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述大體上圓柱形的金屬芯由黃銅制成。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述大體上圓柱形的金屬芯包括陽(yáng)極化部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,所述多個(gè)孔中的每個(gè)孔都從其他孔徑向偏移。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述孔具有約一平方英寸的總橫截面面積。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述框架的第一端配置為通過護(hù)罩絕緣體連接到護(hù)罩,所述護(hù)罩熱聯(lián)接到所述框架。
16.一種制造可替換整體式消耗筒的方法,所述可替換整體式消耗筒配置為安裝到等離子弧焊炬中,所述方法包括:
提供中空本體,所述中空本體適于接收可平移的接觸啟動(dòng)電極,所述本體具有內(nèi)表面和外表面,所述本體包括大體上圓柱形的金屬芯;
在所述中空本體上包覆成型電絕緣塑料殼體,所述電絕緣塑料殼體至少大體上包圍所述大體上圓柱形的金屬芯的遠(yuǎn)端的圓周,以及
提供一組流道,所述流道流體連接所述中空本體的所述外表面和所述中空本體的所述內(nèi)表面,所述流道偏移,以向通過其的等離子氣體賦予渦流流體流動(dòng)型態(tài)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于海別得公司,未經(jīng)海別得公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980072920.5/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





