[發明專利]基板貼合裝置、計算裝置、基板貼合方法和計算方法在審
| 申請號: | 201980070212.8 | 申請日: | 2019-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN112955999A | 公開(公告)日: | 2021-06-11 |
| 發明(設計)人: | 三石創;菅谷功;角田真生;鈴木一弘;塩見隆;福田稔 | 申請(專利權)人: | 株式會社尼康 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艷君;王海奇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 貼合 裝置 計算 方法 計算方法 | ||
本發明涉及基板貼合裝置、計算裝置、基板貼合方法和計算方法。基板貼合裝置具備:第一保持部,其保持第一基板;以及第二保持部,其保持第二基板,在第一基板的一部分與第二基板的一部分之間形成初始貼合區域,并通過從第二保持部釋放形成了初始貼合區域的第二基板,來將第一基板和第二基板貼合,基于與第二基板的形變相關的信息來設定初始貼合區域。
技術領域
本發明涉及基板貼合裝置、計算裝置、基板貼合方法和計算方法。
背景技術
已知有一種基板貼合方法,在該方法中,維持保持一對基板中的一個基板的狀態,解除另一個基板的保持來將另一個基板朝向一個基板釋放,由此貼合一對基板(例如,專利文獻1)。
專利文獻1:日本特開2015-95579號公報
在上述的方法中,關于在貼合時釋放的一個基板,不論該基板的彎曲狀態如何,都在同一條件下按壓中心部而變形為中凸形狀,使其中心部與另一個基板的中心部抵接,而使相互貼合的區域朝向外周方向依次擴大。因此,根據貼合的一個基板的彎曲狀態,在貼合的二個基板間產生的位置偏移量有時大幅不同。
發明內容
在本發明的一個方式中,提供一種基板貼合裝置,具備:第一保持部,其保持第一基板;以及第二保持部,其保持第二基板,在第一基板的一部分與第二基板的一部分之間形成初始貼合區域,并通過從第二保持部釋放形成了初始貼合區域的第二基板,來將第一基板和第二基板貼合,基于與第二基板的形變相關的信息來設定初始貼合區域。
在本發明的一個方式中,提供一種計算裝置,其計算參數,該參數在使第一基板與變形為凸狀的第二基板在分別保持的狀態下相互接觸并通過解除第二基板的保持來將第一基板和第二基板貼合時所使用,其中,基于與第二基板的形變相關的信息來計算使第二基板變形為凸狀的凸量、為了保持第二基板而吸附第二基板的外周部分的吸附面積、以及解除第二基板的保持的定時中的至少一個。
在本發明的一個方式中,提供一種基板貼合裝置,具備:第一保持部,其保持第一基板;以及第二保持部,其保持第二基板,在使第一基板的一部分與第二基板的一部分接觸之后形成初始貼合區域,并通過從第二保持部釋放形成了初始貼合區域的第二基板,來將第一基板和第二基板貼合,初始貼合區域是第一基板與第二基板之間的貼合后的位置偏移為閾值以下的大小。
在本發明的一個方式中,提供一種基板貼合裝置,具備:第一保持部,其保持第一基板;以及第二保持部,其保持第二基板,在第一基板的一部分與第二基板的一部分之間形成初始貼合區域,并通過從第二保持部釋放形成了初始貼合區域的第二基板,來將第一基板和第二基板貼合,該基板貼合裝置還具備判斷部,該判斷部對形成了初始貼合區域這一情況進行判斷,在由判斷部判斷為形成了初始貼合區域的情況下,第二保持部釋放第二基板。
在本發明的一個方式中,提供一種基板貼合方法,具備:將第一基板保持于第一保持部的階段;將第二基板保持于第二保持部的階段;在第一基板的一部分與第二基板的一部分之間形成初始貼合區域的階段;以及通過從第二保持部釋放形成了初始貼合區域的第二基板來將第一基板和第二基板貼合的階段,基于與第二基板的形變相關的信息來設定初始貼合區域。
在本發明的一個方式中,提供一種計算方法,其計算參數,該參數在使第一基板與變形為凸狀的第二基板在分別保持的狀態下相互接觸并通過解除第二基板的保持來將第一基板和第二基板貼合時所使用,其中,該計算方法具備如下的階段:基于與第二基板的形變相關的信息來計算使第二基板變形為凸狀的凸量、為了保持第二基板而吸附第二基板的外周部分的吸附面積、以及解除第二基板的保持的定時中的至少一個參數。
在本發明的一個方式中,提供一種基板貼合方法,具備:將第一基板保持于第一保持部的階段;將第二基板保持于第二保持部的階段;在第一基板的一部分與第二基板的一部分之間形成初始貼合區域的階段;以及通過從第二保持部釋放形成了初始貼合區域的第二基板來將第一基板和第二基板貼合的階段,初始貼合區域是第一基板與第二基板之間的貼合后的位置偏移為閾值以下的大小。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





