[發明專利]粘合基板的方法

在審

• 申請號: 201980069887.0
• 申請日: 2019-10-28
• 公開（公告）號: CN112930594A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: P·利安托;G·H·施;S·斯如納烏卡拉蘇;A·桑達拉江;X·戴;P·K·M·馮
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L21/18;H01L21/324;H01L21/02;H01L21/304
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;張鑫

1.一種用于粘合基板的方法，包含：

執行電化學沉積(ECD)以在第一基板和第二基板中的每一者上沉積至少一種材料；

在所述第一基板和所述第二基板上執行化學機械拋光(CMP)以在所述第一基板和所述第二基板中的每一者上形成粘合界面；

將所述第一基板定位在所述第二基板上，使得所述第一基板上的所述粘合界面與所述第二基板上的所述粘合界面對齊；以及

使用所述第一基板上的所述粘合界面和所述第二基板上的所述粘合界面來將所述第一基板粘合至所述第二基板。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述至少一種材料是Sn、Ag、Pb、In、Bi或Au中的至少一者。

3.如權利要求2所述的方法，其中所述第一基板和所述第二基板中的至少一者包含Cu或Al中的至少一者，以及Si、氧化物或聚合物中的至少一者，并且

其中所述至少一種材料被沉積在所述Cu或Al中的至少一者上。

4.如權利要求1至3中任一項所述的方法，其中所述至少一種材料被沉積在所述第一基板和所述第二基板中的每一者上達到不超過5μm的厚度。

5.如權利要求1至3中任一項所述的方法，其中在執行CMP之后，所述第一基板上的所述粘合界面和所述第二基板上的所述粘合界面各自具有不超過100nm的厚度。

6.如權利要求1至3中任一項所述的方法，其中在大氣壓力下執行將所述第一基板粘合至所述第二基板。

7.如權利要求1至3中任一項所述的方法，其中在不超過250℃的溫度下執行將所述第一基板粘合至所述第二基板。

8.一種用于粘合基板的方法，包含：

執行物理氣相沉積(PVD)以在第一基板和第二基板中的每一者上沉積第一材料；

執行電化學沉積(ECD)以在所述第一基板和所述第二基板中的每一者上沉積第二材料；

在所述第一基板和所述第二基板上執行化學機械拋光(CMP)以在所述第一基板和所述第二基板中的每一者上形成所述第二材料的粘合界面；

將所述第一基板定位在所述第二基板上，使得所述第一基板上的所述粘合界面與所述第二基板上的所述粘合界面對齊；以及

使用所述第一基板上的所述粘合界面和所述第二基板上的所述粘合界面來將所述第一基板粘合至所述第二基板。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述第一材料是Ti、Cu、和其組合中的一者，并且所述第二材料是Sn、Ag、Pb、In、Bi或Au中的一者。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述第一基板和所述第二基板中的至少一者包含Cu或Al中的至少一者，以及Si、氧化物或聚合物中的至少一者，并且

其中所述第一材料被沉積在所述Cu或Al中的至少一者上，并且所述第二材料被沉積在所述第一材料上。

11.如權利要求8至10中任一項所述的方法，其中所述第一材料被沉積至不超過1μm的厚度，并且其中所述第二材料被沉積至不超過5μm的厚度。

12.如權利要求8至10中任一項所述的方法，其中在執行CMP之后，在所述第一基板上的所述粘合界面和所述第一材料具有不超過100nm的組合厚度，并且在所述第二基板上的所述粘合界面和所述第一材料具有不超過100nm的組合厚度。

13.如權利要求8至10中任一項所述的方法，其中在大氣壓力下執行將所述第一基板粘合至所述第二基板。

14.如權利要求8至10中任一項所述的方法，其中在不超過250℃的溫度下執行將所述第一基板粘合至所述第二基板。

15.一種非瞬時計算機可讀存儲介質，所述非瞬時計算機可讀存儲介質具有存儲在所述非瞬時計算機可讀存儲介質上的指令，所述指令當由處理器執行時，執行用于粘合基板的方法，所述方法包含：

執行電化學沉積(ECD)以在第一基板和第二基板中的每一者上沉積至少一種材料；

在所述第一基板和所述第二基板上執行化學機械拋光(CMP)以在所述第一基板和所述第二基板中的每一者上形成粘合界面；

將所述第一基板定位在所述第二基板上，使得所述第一基板上的所述粘合界面與所述第二基板上的所述粘合界面對齊；以及

使用所述第一基板上的所述粘合界面和所述第二基板上的所述粘合界面來將所述第一基板粘合至所述第二基板。