[發(fā)明專利]顯示設備及制造其的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201980061886.1
• 申請日: 2019-03-21
• 公開（公告）號: CN112740406A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設計）人: 柳濟源;金大賢;林白鉉;金明姬;太昌一;趙顯敏;宋根圭;郭珍午
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/15;H01L33/36;H01L33/62;H01L33/50;H01L33/00
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;劉錚

顯示設備可包括：襯底，包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；以及多個像素，設置在顯示區(qū)域上且各自包括多個子像素。每個子像素可包括像素電路層和具有至少一個發(fā)光元件的顯示元件層。顯示元件層包括：第一電極和第二電極，彼此間隔開；第一絕緣層，設置在像素電路層和發(fā)光元件之間；以及第二絕緣層，設置在發(fā)光元件的上表面上，并且設置成用第二絕緣層填充第一絕緣層與發(fā)光元件的端部之間的空間的形式。發(fā)光元件包括：第一導電半導體層；有源層，圍繞第一導電半導體層的至少一側；第二導電半導體層，圍繞有源層；電極層，圍繞第二導電半導體層；以及絕緣膜，覆蓋電極層。第一導電半導體層的部分和電極層的部分可未被絕緣膜覆蓋。

技術領域

本公開的各種實施方式涉及顯示設備，并且更例如，涉及包括超小型發(fā)光元件的顯示設備和制造該顯示設備的方法。

背景技術

發(fā)光二極管即使在惡劣的環(huán)境條件下也可以具有相對令人滿意的耐用性，并且在壽命和亮度方面具有優(yōu)異的性能。近來，對將這種發(fā)光二極管應用于各種顯示設備的技術的研究已經變得相當活躍。

作為這種研究的一部分，正在開發(fā)使用無機晶體結構(例如，通過生長氮化物基半導體獲得的結構)來制造具有對應于微米級或納米級的超小型尺寸的發(fā)光二極管的技術。

發(fā)光二極管可以制造成足夠小的尺寸以形成顯示設備等的像素。發(fā)光二極管可以分別且獨立地在襯底上生長，并且所生長的發(fā)光二極管可以與襯底分離并且用于制造顯示面板。在使用發(fā)光二極管作為顯示面板的光源的情況下，可以在顯示面板的每個像素中設置多個發(fā)光二極管。這里，如果多個發(fā)光二極管設置成彼此接近，則可能在相鄰的發(fā)光二極管之間引起不期望的短路，從而可能損壞發(fā)光二極管。因此，可能出現發(fā)光二極管的缺陷。

發(fā)明內容

技術問題

本公開的各種實施方式涉及能夠使發(fā)光元件的缺陷最小化的顯示設備。

本公開的各種實施方式涉及制造顯示設備的方法。

技術方案

根據本公開的實施方式的顯示設備可以包括：襯底，包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；以及多個像素，設置在顯示區(qū)域上，并且多個像素中的每個包括多個子像素。多個子像素中的每個可以包括像素電路層和顯示元件層，顯示元件層包括發(fā)射光的至少一個發(fā)光元件。顯示元件層可以包括：第一電極和第二電極，彼此間隔開；第一絕緣層，設置在像素電路層和發(fā)光元件之間；以及第二絕緣層，設置在發(fā)光元件的上表面上，并且設置成用第二絕緣層填充第一絕緣層與發(fā)光元件的相對端之間的空間的形式。發(fā)光元件可以包括：第一導電半導體層；有源層，圍繞第一導電半導體層的至少一側；第二導電半導體層，圍繞有源層；電極層，圍繞第二導電半導體層；以及絕緣膜，覆蓋電極層的外圓周表面。第一導電半導體層的部分和電極層的部分可以未被絕緣膜覆蓋。

在本公開的實施方式中，第一導電半導體層可以包括至少一個n型半導體層，并且第二導電半導體層可以包括至少一個p型半導體層。

在本公開的實施方式中，顯示元件層可以包括：第一接觸電極，將第一電極與發(fā)光元件的端部中的一端連接；以及第二接觸電極，將第二電極與發(fā)光元件的相對端中的另一端連接。

在本公開的實施方式中，第一接觸電極可以與電極層的暴露于外部的部分或第一導電半導體層的暴露于外部的部分中的一個接觸。第二接觸電極可以與電極層的暴露于外部的部分或第一導電半導體層的暴露于外部的部分中的另一個接觸。

在本公開的實施方式中，第一接觸電極和第二接觸電極可以設置在相同的層上，在第二絕緣層上彼此間隔開，并且彼此電絕緣。

在本公開的實施方式中，第二絕緣層可以由包括有機材料的有機絕緣層形成。

在本公開的實施方式中，顯示元件層還可以包括設置在第二絕緣層與第一接觸電極和第二接觸電極之間的附加絕緣圖案。