[發明專利]基板處理方法、基板處理裝置以及基板處理系統在審
| 申請號: | 201980054879.9 | 申請日: | 2019-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN112640054A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發明(設計)人: | 樋口鲇美;猶原英司;沖田有史;巖畑翔太;角間央章;增井達哉 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;B05D1/36;B05D1/40;B05D3/00;H01L21/027;H01L21/306 |
| 代理公司: | 成都超凡明遠知識產權代理有限公司 51258 | 代理人: | 魏彥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 方法 裝置 以及 系統 | ||
1.一種基板處理方法,其中,具有:
第一工序,保持基板;
第二工序,開始利用相機對包含第一噴嘴的前端及第二噴嘴的前端的拍攝區域進行拍攝,生成拍攝圖像,
第三工序,開始從所述第一噴嘴向所述基板噴出處理液;
第四工序,停止從所述第一噴嘴噴出處理液,開始從所述第二噴嘴噴出處理液;
第五工序,基于針對所述拍攝圖像的圖像處理,求出在所述第四工序中開始從所述第二噴嘴噴出處理液的開始時刻與停止從所述第一噴嘴噴出處理液的停止時刻之間的時間差;以及
第六工序,判定所述時間差是否在規定范圍外,在判定為所述時間差在所述規定范圍外時,以使所述時間差處于所述規定范圍內的方式,調整所述開始時刻及所述停止時刻中的至少任一者。
2.根據權利要求1所述的基板處理方法,其中,
調整所述停止時刻而不調整所述開始時刻。
3.根據權利要求1或2所述的基板處理方法,其中,
在所述第五工序中,
基于所述拍攝圖像的各幀中從所述第一噴嘴的前端向所述第一噴嘴的噴出方向延伸的第一噴出判定區域的像素值,確定所述停止時刻,
基于各幀中從所述第二噴嘴的前端向所述第二噴嘴的噴出方向延伸的第二噴出判定區域的像素值,確定所述開始時刻。
4.根據權利要求3所述的基板處理方法,其中,
基于所述第一噴出判定區域的像素值的統計量大于閾值的幀,以及作為所述幀的下一幀的所述第一噴出判定區域的統計量小于所述閾值的幀,確定所述停止時刻,
基于所述第二噴出判定區域的像素值的統計量小于所述閾值的幀,以及作為所述幀的下一幀的所述第一噴出判定區域的統計量大于所述閾值的幀,確定所述開始時刻。
5.根據權利要求4所述的基板處理方法,其中,
在所述第六工序中,
將關于所述第一噴嘴及所述第二噴嘴的表示所述統計量的時間變化的圖顯示在用戶界面上,
在對所述用戶界面進行針對對象時刻的輸入時,根據所述輸入來調整所述對象時刻,所述對象時刻為所述開始時刻及所述停止時刻中的至少任一者。
6.根據權利要求1至3中的任一項所述的基板處理方法,其中,
在所述第五工序中,
使用經機器學習的分類器,對于所述第一噴嘴及所述第二噴嘴中的各噴嘴,將所述拍攝圖像所包含的各幀分類為處理液的噴出或停止,并基于其分類結果求出所述時間差。
7.根據權利要求6所述的基板處理方法,其中,
基于對所述第一噴嘴分類為噴出的幀以及作為該幀的下一幀的對所述第一噴嘴分類為停止的幀,確定所述停止時刻,
基于對所述第二噴嘴分類為停止的幀以及作為該幀的下一幀的對所述第二噴嘴分類為噴出的幀,確定所述開始時刻。
8.根據權利要求6所述的基板處理方法,其中,
所述停止時刻在所述開始時刻之后,
基于被分類為所述第一噴嘴及所述第二噴嘴兩者都噴出處理液的幀的個數以及所述幀之間的時間,求出所述時間差。
9.根據權利要求1至8中的任一項所述的基板處理方法,其中,
在所述第六工序中,在判定為所述時間差在規定范圍外時,將所述時間差在規定范圍外的情況報知給作業人員。
10.根據權利要求1至9中的任一項所述的基板處理方法,其中,
所述停止時刻在所述開始時刻之后,
所述基板處理方法還具有第七工序,
所述第七工序,基于針對所述拍攝圖像的圖像處理,判定是否產生處理液在基板上飛濺的濺液,在判定為產生所述濺液時,以減小所述開始時刻與所述停止時刻之間的時間差的方式,調整所述開始時刻及所述停止時刻中的至少任一者。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





