[發(fā)明專利]存儲(chǔ)裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980051607.3
• 申請(qǐng)日: 2019-07-29
• 公開（公告）號(hào): CN112640089A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大貫達(dá)也;加藤清;熱海知昭;山崎舜平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號(hào): H01L21/8242
• 分類號(hào): H01L21/8242;H01L21/8239;H01L27/105;H01L27/108;H01L29/786
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 宋俊寅

1.一種存儲(chǔ)裝置，包括：

延伸在第一方向上的多個(gè)第一布線；

多個(gè)氧化物層；

第一存儲(chǔ)元件群；以及

第二存儲(chǔ)元件群，

其中，所述多個(gè)第一布線包括：

與所述第一存儲(chǔ)元件群重疊的區(qū)域；以及

與所述第二存儲(chǔ)元件群重疊的區(qū)域，

所述多個(gè)氧化物層中之一包括沿著所述第一布線中之一的側(cè)面延伸的區(qū)域，

所述第一存儲(chǔ)元件群和所述第二存儲(chǔ)元件群包括多個(gè)存儲(chǔ)元件，

所述多個(gè)存儲(chǔ)元件的每一個(gè)都包括晶體管及電容器，

在所述多個(gè)存儲(chǔ)元件的每一個(gè)中，

所述晶體管的柵電極與所述多個(gè)第一布線中之一電連接，

所述晶體管的半導(dǎo)體層包括與所述多個(gè)氧化物層中之一接觸的區(qū)域，

并且，配置在所述第一存儲(chǔ)元件群的端部的存儲(chǔ)元件所包括的晶體管的柵電極與配置在所述第二存儲(chǔ)元件群的端部的存儲(chǔ)元件所包括的晶體管的柵電極之間的最短距離為3.5μm以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)裝置，

其中所述最短距離為2.3μm以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2的存儲(chǔ)裝置，

其中包括延伸在第二方向上的多個(gè)第二布線,

并且在所述多個(gè)存儲(chǔ)元件的每一個(gè)中，所述晶體管的源電極和漏電極中的一個(gè)與所述多個(gè)第二布線中的一個(gè)電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的存儲(chǔ)裝置，

其中在所述多個(gè)存儲(chǔ)元件的每一個(gè)中，所述晶體管的源電極和漏電極中的另一個(gè)與所述電容器電連接。

5.權(quán)利要求1至權(quán)利要求4中任一項(xiàng)的存儲(chǔ)裝置，

其中所述多個(gè)氧化物層中之一包括隔著絕緣層與所述第一布線中之一重疊的區(qū)域。

6.權(quán)利要求1至權(quán)利要求5中任一項(xiàng)的存儲(chǔ)裝置，

其中所述氧化物層包含銦和鋅中的一個(gè)或兩個(gè)。

7.權(quán)利要求1至權(quán)利要求6中任一項(xiàng)的存儲(chǔ)裝置，

其中所述半導(dǎo)體層包含銦和鋅中的一個(gè)或兩個(gè)。

8.權(quán)利要求1至權(quán)利要求7中任一項(xiàng)的存儲(chǔ)裝置，還包括延伸在第一方向上的多個(gè)第三布線，

其中所述多個(gè)第三布線中的一個(gè)包括與所述多個(gè)第一布線中的一個(gè)彼此重疊的區(qū)域。

9.一種存儲(chǔ)裝置，包括：

延伸在第一方向上的多個(gè)第一布線；

多個(gè)氧化物層；

第一存儲(chǔ)元件群；

第二存儲(chǔ)元件群；以及

第一區(qū)域，

其中，所述多個(gè)第一布線包括：

與所述第一存儲(chǔ)元件群重疊的區(qū)域；

與所述第二存儲(chǔ)元件群重疊的區(qū)域；以及

與所述第一區(qū)域重疊的區(qū)域，

所述多個(gè)氧化物層中之一包括沿著所述第一布線中之一的側(cè)面延伸的區(qū)域，

所述第一存儲(chǔ)元件群和所述第二存儲(chǔ)元件群包括多個(gè)存儲(chǔ)元件，

所述多個(gè)存儲(chǔ)元件的每一個(gè)包括第一晶體管及電容器，

在所述多個(gè)存儲(chǔ)元件的每一個(gè)中，

所述第一晶體管的柵極與所述多個(gè)第一布線中之一電連接，

所述第一晶體管的半導(dǎo)體層包括與所述多個(gè)氧化物層中之一接觸的區(qū)域，

所述第一區(qū)域包括多個(gè)第二晶體管，

在所述多個(gè)第二晶體管的每一個(gè)中，柵電極與所述多個(gè)第一布線中之一電連接，源電極和漏電極中的一個(gè)或兩個(gè)與第四布線電連接，

并且，具有對(duì)所述第四布線供應(yīng)高電源電位的功能。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的存儲(chǔ)裝置，

其中延伸在第二方向上的多個(gè)第二布線,

并且在所述多個(gè)存儲(chǔ)元件的每一個(gè)中，所述第一晶體管的源電極和漏電極中的一個(gè)與所述多個(gè)第二布線中的一個(gè)電連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求10的存儲(chǔ)裝置，

其中在多個(gè)存儲(chǔ)元件的每一個(gè)中，所述第一晶體管的源電極和漏電極中的另一個(gè)與所述電容器電連接。