[發明專利]能量存儲裝置

在審

• 申請號: 201980048231.0
• 申請日: 2019-07-19
• 公開（公告）號: CN112470312A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: J.霍華德;M.倫達爾
• 申請（專利權）人: 戴森技術有限公司
• 主分類號: H01M6/40
• 分類號: H01M6/40;H01M10/04;H01M10/0562;H01M10/0585
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張邦帥

1.一種制造能量存儲裝置的方法，所述方法包括：

在基底的第一側上提供第一堆疊，所述第一堆疊包括第一電極層、第二電極層以及在第一電極層和第二電極層之間的第一電解質層，所述第一電極層比所述第二電極層更靠近基底的第一側；

在基底的與基底的第一側相反的第二側上提供第二堆疊，所述第二堆疊包括第三電極層、第四電極層以及在第三電極層和第四電極層之間的第二電解質層，所述第三電極層比所述第四電極層更靠近基底的第二側；

在第一堆疊的第一側中形成第一凹槽，第一堆疊的與第一堆疊的第二側相反的第一側與基底的第一側接觸，所述第一凹槽具有第一深度；

在第二堆疊的第一側中形成第二凹槽，第二堆疊的與第二堆疊的第二側相反的第一側與基底的第二側接觸，所述第二凹槽具有第二深度；

在第一堆疊的第一側中形成第三凹槽，所述第三凹槽具有不同于第一深度的第三深度；和

在第二堆疊的第一側中形成第四凹槽，所述第四凹槽具有不同于第二深度的第四深度。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一凹槽與所述第二凹槽基本對準，并且所述第三凹槽與所述第四凹槽基本對準。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在不切割基底的情況下形成第一凹槽和第二凹槽，在不切割第一電極層的情況下形成第三凹槽，并且在不切割第三電極層的情況下形成第四凹槽。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中，所述第一深度與所述第二深度基本相同，并且所述第三深度與所述第四深度基本相同。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在不切割所述第一電極層的情況下形成所述第一凹槽，在不切割所述基底的情況下形成所述第二凹槽，在不切割所述基底的情況下形成所述第三凹槽，并且在不切割第三電極層的情況下形成所述第四凹槽。

6.根據權利要求1、2或5中任一項所述的方法，其中，所述第一深度與所述第四深度基本相同，并且所述第三深度與所述第二深度基本相同。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其中，所述第一凹槽的第一深度、所述第二凹槽的第二深度、所述第三凹槽的第三深度或所述第四凹槽的第四深度中的至少一個基本上垂直于基底的第一側的平面。

8.根據權利要求1至7中的任一項所述的方法，其中，

形成第一凹槽和形成第三凹槽使用導向基底的第一側的第一至少一個激光束；和

形成第二凹槽和形成第四凹槽使用導向基底的第二側的第二至少一個激光束。

9.根據權利要求1至8中的任一項所述的方法，包括折疊所述基底以提供多堆疊布置，所述多堆疊布置包括：

在基底的第一側的第一部分上的第一堆疊的第一部分；

在基底的第二側的第一部分上的第二堆疊的第一部分，基底的第二側的第一部分與基底的第一側的第一部分相反，第二堆疊的第一部分與第一堆疊的第一部分重疊；

在基底的第一側的第二部分上的第一堆疊的第二部分，第一堆疊的第二部分與第一堆疊的第一部分和第二堆疊的第一部分重疊；和

在基底的第二側的第二部分上的第二堆疊的第二部分，基底的第二側的第二部分與基底的第一側的第二部分相反，第二堆疊的第二部分與第一堆疊的第一部分、第二堆疊的第一部分和第一堆疊的第二部分重疊。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，在折疊所述基底之后：

所述第一凹槽在所述第一堆疊的第一部分與所述第一堆疊的第三部分之間，所述第一堆疊的第三部分在基底的第一側的第三部分上，在與所述第一堆疊的第一部分基本相同的平面中；和

所述方法包括沿著與第一凹槽基本對準的縱向軸線切割多堆疊布置。