[發明專利]包含碳化硅晶片的半導體晶片以及SiC半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201980047401.3
• 申請日: 2019-07-18
• 公開（公告）號: CN112424402B
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發明（設計）人: 武井真也;箕谷周平;市川治人;高橋一平;若杉幸宏
• 申請（專利權）人: 株式會社電裝
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;G03F7/20;H01L21/66;H01L29/12;H01L29/78
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 呂文卓

1.一種碳化硅半導體裝置的制造方法，是使用在碳化硅晶片(10a，21)的表面具備由碳化硅構成的外延層(10b，22)的半導體晶片(10)進行半導體元件(21～32)的形成的碳化硅半導體裝置的制造方法，其特征在于，

包括：

準備上述碳化硅晶片的工序；

使上述碳化硅晶片的表面和背面平坦化的工序；

在上述平坦化之后在上述碳化硅晶片的表面使上述外延層外延生長的工序；

通過表面形狀測定裝置，進行上述外延層的表面的平坦度的評價的工序；以及

使用上述平坦度的評價后的上述半導體晶片，進行上述半導體元件的形成的工序；

進行上述平坦度的評價的工序中，通過上述表面形狀測定裝置，在評價區內，進行上述外延層的多個點的高度測定后，進行基于該測定的高度的最小二乘法的運算從而決定表面基準面，進而，在中心位置與上述評價區相同并且范圍與上述評價區不同的曝光區內，以上述表面基準面為基準，將最高位置的高度設為α，將最低位置的高度設為β，將彎曲值設為|α|+|β|，求出每個上述曝光區的上述彎曲值，滿足該彎曲值為1μm以下的條件。

2.如權利要求1所述的碳化硅半導體裝置的制造方法，其特征在于，

進行上述平坦度的評價的工序中，將上述碳化硅晶片中的包含外緣的5μm的區域設為無效區，將除了該無效區以外的區域設為有效區，在上述有效區內，設定多個上述曝光區，在多個上述曝光區中的90％以上中，滿足上述彎曲值為1μm以下的條件。

3.如權利要求1所述的碳化硅半導體裝置的制造方法，其特征在于，

進行上述半導體元件的形成的工序中，該半導體元件的構成要素的最小加工尺寸被設為0.3～0.8μm。

4.如權利要求1～3中任一項所述的碳化硅半導體裝置的制造方法，其特征在于，

進行上述半導體元件的形成的工序中，作為上述半導體元件而形成縱型MOSFET。