[發明專利]光檢測裝置以及光檢測裝置的制造方法在審
| 申請號: | 201980045801.0 | 申請日: | 2019-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN112514071A | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發明(設計)人: | 森下勝 | 申請(專利權)人: | 浜松光子學株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L31/02;H01L31/10 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢測 裝置 以及 制造 方法 | ||
光檢測裝置的制造方法包括:第一工序,其準備背面入射型的受光元件,該受光元件具有多個受光部,并且形成有以互相隔開相鄰的受光部的方式在第一主面開口的溝槽;第二工序,其以受光元件的第一主面與配線基板相對的方式,將受光元件配置于配線基板上;第三工序,其以在配線基板上,包圍受光元件的側面整體的方式,形成在配線基板的厚度方向上至少到達至相較于溝槽的第二主面側的端部更離開配線基板的位置的樹脂模具;以及第四工序,其從受光元件的第二主面側研磨受光元件和樹脂模具。
技術領域
本發明涉及一種光檢測裝置以及光檢測裝置的制造方法。
背景技術
作為光檢測裝置,已知有一種將具有分別設置有受光部的多個塊的背面入射型的受光元件(背面入射型圖像傳感器)配置于基板上而成的光檢測裝置。例如,在專利文獻1中,記載了一種通過將多個塊(背面入射型的CMOS技術檢測電路)以規定間隔配置于電路基板(配線基板)上,在多個塊間堆積由鉻等的金屬形成的停止層,將多個塊的表面(硅塊的表面)研磨至到達停止層為止,然后去除停止層,來制造光檢測電路的方法。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2010-123962號公報
發明內容
發明所要解決的技術問題
在上述的光檢測裝置中,為了維持成像精度(即,維持各塊的位置關系),優選外力對塊(受光元件)的影響較小。另一方面,在專利文獻1所記載的制造方法中,在研磨塊的表面的工序整體中,通過僅相較于停止層更向上方突出的塊的一部分被研磨并在橫向上搖動,從而可能對塊作用較大的外力。另外,在專利文獻1所記載的光檢測電路中,由于覆蓋塊的側面的停止層最終被去除,不作為保護塊的側面的保護材料而發揮功能,因此在降低外力對塊的影響的方面還有提高的余地。
本發明的一個方面的目的在于,提供一種能夠降低外力對受光元件的影響的光檢測裝置及其制造方法。
解決問題的技術手段
本發明的一個方面的光檢測裝置的制造方法,包括:第一工序,其準備背面入射型的受光元件,該受光元件具有一維狀或二維狀地排列的多個受光部、形成有受光部的第一主面、以及與第一主面相反側的第二主面,并且形成有以互相隔開相鄰的受光部的方式在第一主面開口的溝槽;第二工序,其以受光元件的第一主面與基板相對的方式,將受光元件配置于基板上;第三工序,其以在基板上,包圍受光元件的側面整體的方式,形成在基板的厚度方向上至少到達至相較于溝槽的第二主面側的端部更離開基板的位置的樹脂模具;以及第四工序,其從受光元件的第二主面側研磨受光元件和樹脂模具。
在上述光檢測裝置的制造方法中,以包圍受光元件的側面整體的方式形成有樹脂模具。利用這樣形成的樹脂模具,可以加強受光元件相對于基板的固定。具體地,通過樹脂模具支撐受光元件的側面整體,從而能夠實現相對于作用于受光元件的橫向(即,受光元件相對于基板橫向滑動的方向)的外力強的構造。因此,根據上述制造方法,可以得到降低了外力對受光元件的影響的光檢測裝置。此外,根據上述制造方法,即使在光檢測裝置的制造過程中,也可以適當地降低外力對受光元件的影響。具體地,在研磨工序(第四工序)中,通過一并研磨受光元件和樹脂模具,受光元件的側面被樹脂模具支撐,可以抑制受光元件的變形的發生。
也可以是第一工序包括通過干蝕刻或濕蝕刻形成溝槽的工序。由此,可以高精度地形成非常小的寬度的溝槽,能夠窄間距且高精度地配置多個受光部。
也可以是在第一工序中準備的受光元件通過溝槽而被分成分別具有受光部的多個塊,在受光元件,以經由溝槽而與多個塊的排列方向上的位于最外側的塊在排列方向上相對的方式,設置有不具有受光部的虛設塊。在這種情況下,設置于受光元件的外端部的虛設塊起到吸收對受光元件的外力的作用。由此,可以有效地降低外力對受光元件的主要部(即,具有受光部的各塊)的影響。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





