[發明專利]氣化器

有效

• 申請號: 201980035271.1
• 申請日: 2019-04-22
• 公開（公告）號: CN112585298B
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發明（設計）人: 小野弘文;八木茂雄;山本健太
• 申請（專利權）人: 琳科技股份有限公司
• 主分類號: C23C16/448
• 分類號: C23C16/448;B01J7/02;H01L21/31
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 鄧宗慶

提供在不使用噴霧器的方法中抑制突沸且氣化空間的壓力變動非常少的氣化器。氣化器(1)由容器主體(10)、設置于氣化器(1)內并被加熱的多孔質構件(30)、向多孔質構件(30)供給液體原料(L)的導入管(40)以及將氣化的原料氣體(G)排出到外部的氣體排出路徑(7)構成。導入管(40)的出口(41)與多孔質構件(30)接觸或接近地配置。出口(41)與多孔質構件(30)接近地配置的情況下的從所述出口(41)到多孔質構件(30)的分離距離(H)在不超過從所述出口(41)到由于表面張力而從所述出口(41)成為液滴并垂下的液體原料(L)的下端的大小的范圍內。

技術領域

本發明涉及不使用用于在氣化之前使液體原料霧化的噴霧用載氣的氣化器，更詳細而言，涉及通過使將液體原料向氣化器導入的導入管(毛細管)接觸或接近多孔質構件(燒結過濾器)，氣化過程中的壓力變動極小的氣化器。

背景技術

在半導體器件的制造工序中有制膜工序、蝕刻工序及擴散工序等，在這些工序中，大多使用氣體作為原料。然而，近年來，大多使用液體原料代替原料氣體。

該液體原料由氣化器轉換為氣體并供給到反應工序。在原料為氣體的情況下，由于利用質量流量控制器進行流量控制，所以流量的穩定性良好。

另一方面，在液體原料的情況下，將進行了流量控制的液體原料導入氣化器，在氣化器內部利用噴霧氣體使其霧化后，通過加熱使其氣化，但與原料為氣體的情況相比，壓力變動較大。為了穩定地制作均勻的膜，需要盡可能抑制這種壓力變動。

在這種半導體成膜工序中，在最新的半導體成膜工序中，不使用載氣的情況增加。在這種不使用噴霧氣體或載氣的氣化工序中，由于后述的理由，與使用噴霧氣體或載氣的情況相比，壓力變動顯著地變大。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利3650543號公報

專利文獻2：日本專利4601535號公報

發明內容

發明要解決的課題

為了使液體原料高效且穩定地氣化，采用了如上所述利用噴霧器將液體原料噴霧并導入氣化室內的方法。由此，進行穩定的氣化且抑制氣化室內部的壓力變動。

但是，在不使用噴霧器的最新的方法中，液體原料從較細的導入管滴下，在大粒的液滴的狀態下導入氣化室。被導入的液滴依次與被加熱的氣化室的內壁接觸并瞬間氣化。因此，在氣化室的內壁不斷產生突沸，氣化器的內部壓力(氣化室的內壓)大幅變動。該變動導致向成膜裝置供給的原料氣體的不均勻并顯現。這對成膜裝置是致命的，妨礙均勻的成膜。這成為不使用噴霧器的情況下的氣化工序中的較大的問題。

本發明鑒于該以往的問題點而作出，其課題在于，提供在不使用噴霧器的方法中抑制液體原料與加熱面接觸時產生的突沸而氣化器內部的壓力變動非常少的氣化器。

用于解決課題的手段

技術方案1記載的發明為一種氣化器1，由容器主體10、多孔質構件30、導入管40及氣體排出路徑7構成，

所述容器主體10在內部具有氣化空間5，

所述多孔質構件30設置在所述氣化空間5內并被加熱，

所述導入管40從外部插通到氣化空間5，并向多孔質構件30供給液體原料L，

所述氣體排出路徑7將通過多孔質構件30氣化而生成的原料氣體G從氣化空間5排出到外部，其特征在于，

所述導入管40的出口41與多孔質構件30接觸地配置，

在所述導入管40的出口41的附近的側面貫穿設置有微小貫通孔45。