[發(fā)明專利]工件加工用片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980026145.X | 申請日: | 2019-04-05 |
| 公開(公告)號: | CN111989764A | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 森田由希;山下茂之 | 申請(專利權(quán))人: | 琳得科株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/683;B23K26/00;C09J7/20;C09J7/38;C09J201/00 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人: | 張晶;敖蓮 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 工件 工用 | ||
本發(fā)明涉及一種工件加工用片1,其至少具備基材2與層疊于基材2的第一面?zhèn)鹊恼持鴦?,其中,基材2的第二面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為0.01μm以上、0.4μm以下,基材2的第二面的最大高度粗糙度(Rz)為0.01μm以上、2.5μm以下,基材2的波長532nm的透光率為40%以上。該工件加工用片1的激光打標(biāo)性優(yōu)異,且同時對激光具有耐受性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種工件加工用片,特別是涉及一種能夠適于工件進(jìn)行激光打標(biāo)時的工件加工用片。
背景技術(shù)
近年來,利用被稱作倒裝(face down)方式的安裝法制造半導(dǎo)體裝置。該方法中,在安裝具有形成有凸塊(bump)等電極的電路面的半導(dǎo)體芯片時,將半導(dǎo)體芯片的電路面?zhèn)冉雍嫌谝€框架等的芯片搭載部。因此,成為半導(dǎo)體芯片的未形成電路的背面?zhèn)嚷冻龅慕Y(jié)構(gòu)。
因此,為了保護(hù)半導(dǎo)體芯片,多在半導(dǎo)體芯片的背面?zhèn)壬闲纬捎操|(zhì)的由有機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)膜。此處,例如,專利文獻(xiàn)1中公開了一種將可形成上述保護(hù)膜的保護(hù)膜形成層形成于切割片上而成的保護(hù)膜形成兼切割用片。根據(jù)該保護(hù)膜形成兼切割用片,可在半導(dǎo)體晶圓上形成保護(hù)膜后,繼續(xù)進(jìn)行切割,從而得到帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片。
另外,上述切割片本身具備基材及設(shè)置于其單面的粘著劑層。作為粘著劑層的粘著劑,為了提高帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片在拾取時的剝離性,有時會使用通過紫外線照射而降低粘著力的紫外線固化性的粘著劑。
通常為了顯示該半導(dǎo)體芯片的產(chǎn)品編號等,會在上述保護(hù)膜上進(jìn)行印字。作為該印字方法,通常為對保護(hù)膜照射激光的激光打標(biāo)(laser marking)法。在對保護(hù)膜實(shí)施激光打標(biāo)時,隔著保護(hù)膜形成兼切割用片的切割片對保護(hù)膜照射激光。
上述保護(hù)膜通常由黑色的樹脂組合物構(gòu)成,在對該保護(hù)膜實(shí)施激光打標(biāo)時,通常即使激光輸出較弱,也能良好地在保護(hù)膜上印字。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2006-140348號公報
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題
近年來提出了一種對作為工件的半導(dǎo)體晶圓或玻璃板實(shí)施激光打標(biāo)的方案。在如此對無機(jī)材料實(shí)施激光打標(biāo)時,容易發(fā)生無法良好地進(jìn)行印字、所形成的印字變粗糙、印字的精度變低的問題。
此外,在以上述方式對無機(jī)材料實(shí)施激光打標(biāo)時,激光的輸出需要變得較大,因此切割片的基材容易燒焦。如此,其燒焦部分的透光率降低,無法良好地視認(rèn)形成在工件上的印字。此外,當(dāng)切割片的粘著劑層為紫外線固化性時,在使該粘著劑層紫外線固化時,基材的燒焦部分的紫外線透射性變差,其結(jié)果,該部分的粘著劑層未能充分固化,產(chǎn)生粘著劑附著在經(jīng)拾取的芯片上的殘膠的問題。
本發(fā)明鑒于上述實(shí)際情況而成,其目的在于提供一種激光打標(biāo)性優(yōu)異且同時對激光具有耐受性的工件加工用片。
解決技術(shù)問題的技術(shù)手段
為了達(dá)成上述目的,第一,本發(fā)明提供一種工件加工用片,其至少具備基材與層疊于所述基材的第一面?zhèn)鹊恼持鴦樱龉ぜ庸び闷奶卣髟谟冢龌牡牡诙娴乃阈g(shù)平均粗糙度(Ra)為0.01μm以上、0.4μm以下,所述基材的第二面的最大高度粗糙度(Rz)為0.01μm以上、2.5μm以下,所述基材的波長532nm的透光率為40%以上(發(fā)明1)。
在上述發(fā)明(發(fā)明1)中,通過使基材的物性如上所述,激光打標(biāo)所使用的激光、特別是波長532nm的激光容易透射基材及工件加工用片。由此,可對工件良好地進(jìn)行基于激光打標(biāo)的印字,可形成精度高的印字。此外,基材不易吸收激光的能量,可抑制基材被燒焦或被印字。因此,不會發(fā)生基材的起因于燒焦的透光性的下降,可隔著工件加工用片良好地視認(rèn)形成于工件上的印字。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





