[發明專利]具有改善的信號電子檢測性能的多束檢測設備在審
| 申請號: | 201980017872.X | 申請日: | 2019-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN111819654A | 公開(公告)日: | 2020-10-23 |
| 發明(設計)人: | 任偉明;劉學東;胡學讓;陳仲瑋 | 申請(專利權)人: | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類號: | H01J37/28 | 分類號: | H01J37/28;H01J37/147;H01J37/29 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 董莘 |
| 地址: | 荷蘭維*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 改善 信號 電子 檢測 性能 設備 | ||
1.一種用于將多個電子束引導到電子檢測裝置上的光電系統的交叉形成偏轉器陣列,所述交叉形成偏轉器陣列包括:
多個交叉形成偏轉器,定位于所述光電系統的一個或多個光電透鏡的集合的圖像平面處或至少定位于所述一個或多個光電透鏡的集合的圖像平面附近,其中每個交叉形成偏轉器與所述多個電子束中的對應電子束對準。
2.根據權利要求1所述的交叉形成偏轉器陣列,其中每個交叉形成偏轉器被配置為使對應電子束偏轉,使得所有電子束重疊以在交叉平面上形成交叉區域。
3.根據權利要求1所述的交叉形成偏轉器陣列,其中每個交叉形成偏轉器具有多極結構。
4.一種用于將來自樣品的多個二次電子束投射到多束設備中的相應電子檢測表面上的光電系統,所述光電系統包括:
多個交叉形成偏轉器,被配置為在交叉平面上形成所述多個二次電子束的交叉區域,其中所述多個交叉形成偏轉器中的每個交叉形成偏轉器與所述多個二次電子束中的對應的二次電子束相關聯;以及
具有一個或多個孔的束限制孔板,定位于所述交叉平面處或附近,并且被配置為修整所述多個二次電子束。
5.根據權利要求4所述的光電系統,其中所述多個交叉形成偏轉器被配置為使所述多個二次電子束中的離軸二次電子束偏轉到所述交叉區域。
6.根據權利要求4所述的光電系統,其中所述一個或多個孔包括以所述交叉區域為中心的第一孔。
7.根據權利要求4所述的光電系統,其中所述一個或多個孔被配置為具有不同尺寸。
8.根據權利要求6所述的光電系統,其中所述束限制孔板可移動以使所述一個或多個孔中的第二孔與所述交叉區域對準。
9.根據權利要求4所述的光電系統,還包括:
電子檢測裝置,包括用于所述多個二次電子束的檢測表面以形成所述樣品的多個圖像。
10.根據權利要求9所述的光電系統,還包括:
與所述光電系統的光學軸線對準的一個或多個透鏡的第一集合和一個或多個透鏡的第二集合,其中所述電子檢測裝置被定位為與所述第一集合相比較靠近所述第二集合。
11.根據權利要求10所述的光電系統,其中所述多個交叉形成偏轉器定位于所述第一集合與所述第二集合之間的所述第一集合的第一圖像平面處或至少定位于所述第一集合的第一圖像平面附近。
12.根據權利要求11所述的光電系統,其中所述一個或多個透鏡的第一集合被配置為使所述多個二次電子束中的至少一些二次電子束與所述多個交叉形成偏轉器中的對應的交叉形成偏轉器對準。
13.根據權利要求11所述的光電系統,其中所述交叉平面定位于所述第一集合與所述第二集合之間。
14.根據權利要求11所述的光電系統,其中所述交叉平面位于所述電子檢測裝置與所述第二集合之間。
15.一種由二次成像系統執行以形成樣品的圖像的方法,所述方法包括:
通過定位于所述二次成像系統的一個或多個圖像平面處或至少定位于所述二次成像系統的一個或多個圖像平面附近的多個交叉形成偏轉器來使二次電子束偏轉以在交叉平面上形成交叉區域;以及
通過具有定位于所述交叉平面處或至少定位于所述交叉平面附近的束限制孔的束限制孔板修整二次電子束。
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