[發明專利]具有等離子體噴涂涂層的支撐環在審
| 申請號: | 201980017607.1 | 申請日: | 2019-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN111819679A | 公開(公告)日: | 2020-10-23 |
| 發明(設計)人: | 吳菅;中川敏行;中西孝之 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/67;C23C4/134;C23C4/04 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 等離子體 噴涂 涂層 支撐 | ||
1.一種用于處理基板的腔室,包含:
主體,具有側壁和底部;
蓋,耦接至所述主體,而在其中限定處理空間;
輻射熱源,耦接至所述底部;和
基板支撐件,設置于所述處理空間中,所述基板支撐件包含:
邊緣環;
支撐筒;和
支撐環,耦接至所述支撐筒且配置成支撐所述邊緣環,所述支撐環具有使用等離子體噴涂沉積工藝在所述支撐環上形成的涂層,所述涂層整體具有均勻厚度。
2.如權利要求1所述的腔室,其中所述支撐環以石英形成。
3.如權利要求1所述的腔室,其中所述涂層為多晶硅涂層。
4.如權利要求3所述的腔室,其中所述涂層具有介于10微米及200微米之間的厚度。
5.如權利要求4所述的腔室,其中所述涂層包含多于一個層。
6.如權利要求2所述的腔室,其中所述涂層具有至少4的光密度值。
7.一種基板支撐件,包含:
環主體,包含:
內部邊緣;
外部邊緣;
第一側,所述第一側在所述內部邊緣及所述外部邊緣之間延伸;和
第二側,所述第二側相對于所述第一側在所述內部邊緣及所述外部邊緣之間延伸;和
涂層,設置于所述環主體上,所述涂層整體具有均勻厚度,且其中所述涂層通過等離子體噴涂沉積工藝而形成。
8.如權利要求7所述的基板支撐件,其中所述環主體以石英形成。
9.如權利要求7所述的基板支撐件,其中所述涂層為多晶硅涂層。
10.如權利要求9所述的基板支撐件,其中所述涂層具有介于約10微米及約200微米之間的厚度。
11.如權利要求10所述的基板支撐件,其中所述涂層包含多于一個層。
12.如權利要求7所述的基板支撐件,其中所述涂層具有至少4的光密度值。
13.如權利要求7所述的基板支撐件,其中所述環主體進一步包含從所述第一側延伸的第一環狀肩部,及從所述第二側延伸的第二環狀肩部,所述等第一環狀肩部及第二環狀肩部彼此以相反的方向延伸。
14.一種在支撐環上形成涂層的方法,包含以下步驟:
清潔支撐環,其中所述支撐環以石英形成;
將所述支撐環提供至沉積區域,其中所述沉積區域為無塵室;和
使用等離子體噴涂沉積工藝施加涂層,所述涂層整體具有均勻厚度。
15.如權利要求16所述的方法,其中所述涂層為多晶硅涂層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





