[發(fā)明專利]硅晶圓的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980008674.7 | 申請日： | 2019-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN111615741A | 公開（公告）日： | 2020-09-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 大關(guān)正彬;五十嵐健作;阿部達夫 | 申請（專利權(quán)）人： | 信越半導(dǎo)體株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/304 | 分類號： | H01L21/304;B24B1/00;B24B37/04;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人： | 張晶;謝順星 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅晶圓 制造 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種硅晶圓的制造方法，在粗研磨步驟與精研磨步驟之間具有干式蝕刻步驟，其特征在于，
在所述干式蝕刻步驟中，以0.3μm/min以下的蝕刻速率對所述粗研磨步驟后的硅晶圓進行干式蝕刻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅晶圓的制造方法，其特征在于，進行所述干式蝕刻步驟之前的所述粗研磨步驟為雙面研磨步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅晶圓的制造方法，其特征在于，進行所述干式蝕刻步驟之后的所述精研磨步驟為單面研磨步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的硅晶圓的制造方法，其特征在于，在所述粗研磨步驟中，使用與在所述精研磨步驟中使用的研磨布相比具有更高硬度的研磨布。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
