[發明專利]濺鍍靶材和濺鍍靶

有效

• 申請號: 201980006346.3
• 申請日: 2019-02-12
• 公開（公告）號: CN111465713B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 田尾幸樹;畠英雄
• 申請（專利權）人: 株式會社鋼臂功科研
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C01G25/00;C04B35/457;G11B7/2578;G11B7/26
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

本發明提供一種濺鍍靶材和濺鍍靶。濺鍍靶材包含鋅(Zn)的氧化物、錫(Sn)的氧化物及鋯(Zr)的氧化物，其中相對于氧(O)以外的所有元素，鋅的含量A_Zn為超過0at％且50at％以下，錫的含量A_Sn為20at％以上且80at％以下，及鋯的含量A_Zr為超過0at％且40at％以下，而且Zn的含量A_Zn滿足下述式(1)；經測定的多個比電阻值中最大值相對于最小值的比為3以下，及所述比電阻值為5×10^?1[Ω·cm]以下；而且所述濺鍍靶材不含有銦(In)。A_Zn/(A_Zn+A_Sn)≦0.6·····(1)。

技術領域

本發明涉及一種濺鍍靶材和濺鍍靶。

背景技術

光記錄媒體是由CD、DVD等光盤所代表，被分類為再生專用型、追記型、及重復錄寫型這三種。另外，作為光記錄媒體的記錄方式，已知有記錄層的構成材料發生相變化的方式、經多層化的記錄層進行層間反應的方式、及記錄層的構成材料進行分解的方式等。作為追記型的光盤的記錄層材料，至今為止廣泛使用有機色素材料，但近年來記錄的高密度化不斷發展，也可使用無機材料。

已知有：于在記錄層中采用金屬氧化物作為無機材料的情況下，通過所述氧化物的分解而進行信息的記錄，但為了抑制記錄層的經時變化所引起的劣化而使記錄層的信號特性良好，利用濺鍍法在記錄層的表背形成介電體層。提出一種ZrO₂-In₂O₃系濺鍍靶，其為形成介電體層(保護層)的濺鍍靶，并使所含有的鋯(Zr)的90％以上以Zr與銦(In)的復合氧化物相的形式分散于濺鍍靶材中，由此耐裂紋性優異(日本專利特開2009-62585號公報)。根據所述濺鍍靶，即便以高輸出進行濺鍍也不會產生裂紋，因此可高效地形成介電體層，光記錄媒體的生產效率得到提高。

然而，若以高輸出進行濺鍍，則發生異常放電，濺鍍靶的基體成為粒狀的塊而在記錄層中飛散，即產生所謂的粒子，但所述ZrO₂-In₂O₃系濺鍍靶中有無法有效地抑制異常放電的擔憂。另外，通過包含In的氧化物而可確保濺鍍靶的導電性，因此可提高形成速度而縮短步驟作業時間，但In被指定為特定化學物質，因此需要謀求健康障礙防止對策。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2009-62585號公報

發明內容

發明所要解決的問題

本發明是基于所述情況而成，其目的在于提供一種在形成光記錄媒體的介電體層時可有效地抑制異常放電、且無需健康障礙防止對策的濺鍍靶材和濺鍍靶。

解決問題的技術手段

用以解決所述課題而成的本發明的一實施方式為一種濺鍍靶材，其包含鋅(Zn)的氧化物、錫(Sn)的氧化物及鋯(Zr)的氧化物，其中相對于氧(O)以外的所有元素，鋅的含量A_Zn為超過0at％且50at％以下，錫的含量A_Sn為20at％以上且80at％以下，及鋯的含量A_Zr為超過0at％且40at％以下，而且鋅的含量A_Zn滿足下述式(1)；經測定的多個比電阻值中最大值相對于最小值的比為3以下，及所述比電阻值為5×10^-1[Ω·cm]以下；而且所述濺鍍靶材不含有銦(In)。

A_Zn/(A_Zn+A_Sn)≦0.6·····(1)