[發明專利]非易失性存儲器中的交錯編程和驗證有效
| 申請號: | 201980005979.2 | 申請日: | 2019-02-19 |
| 公開(公告)號: | CN111406291B | 公開(公告)日: | 2023-08-22 |
| 發明(設計)人: | X·楊;H-Y·曾;D·杜塔 | 申請(專利權)人: | 閃迪技術有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/34 | 分類號: | G11C16/34;G11C16/10;G11C7/10 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人: | 趙志剛 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 非易失性存儲器 中的 交錯 編程 驗證 | ||
1.一種電路,所述電路包括:
交錯控制電路,所述交錯控制電路被配置為確定使兩個編程-驗證回路交錯的序列;
編程控制電路,所述編程控制電路被配置為:
在第一編程階段期間根據所述序列向塊的第一存儲器單元施加第一編程脈沖;以及
根據所述序列在施加所述第一編程脈沖之后且在施加第一多個驗證脈沖到所述塊的第一存儲器單元之前,在第二編程階段期間向所述塊的第二存儲器單元施加第二編程脈沖;和
驗證控制電路,所述驗證控制電路被配置為在第一驗證階段期間根據所述序列向所述第一存儲器單元施加所述第一多個驗證脈沖;以及在施加所述第一多個驗證脈沖之后,在第二驗證階段期間根據所述序列向所述第二存儲器單元施加第二多個驗證脈沖;
其中在所述第一驗證階段或第二驗證階段中的至少一個期間施加的所述第一多個驗證脈沖或所述第二多個驗證脈沖中的至少一個具有順序降低的驗證脈沖水平。
2.根據權利要求1所述的電路,其中所述第一驗證階段和所述第二驗證階段是連續驗證階段。
3.根據權利要求2所述的電路,其中所述驗證控制電路被進一步配置為在所述第一驗證階段和所述第二驗證階段的持續時間內保持選定漏極選擇柵極線上的漏極選擇柵極線電壓處于恒定水平。
4.根據權利要求1所述的電路,其中在所述第一驗證階段和第二驗證階段期間施加的所述第一多個驗證脈沖和所述第二多個驗證脈沖中的每個具有順序降低的驗證脈沖水平并且因此使得所述驗證控制電路能夠在所述第一驗證階段和所述第二驗證階段中的每一個期間以遞減驗證順序檢查所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元的程序狀態。
5.根據權利要求2所述的電路,其中所述驗證控制電路被配置為在所述第一驗證階段和所述第二驗證階段期間以顛倒驗證順序施加多個驗證脈沖序列。
6.根據權利要求1所述的電路,其中所述驗證控制電路被配置為使得所述第一多個驗證脈沖或第二多個驗證脈沖中的僅一個具有順序降低的驗證脈沖水平,并且使得所述第一多個驗證脈沖或第二多個驗證脈沖中的另一個具有順序增大的驗證脈沖水平,因此使得所述驗證控制電路在所述第一驗證階段或所述第二驗證階段中一個的期間以遞增驗證順序檢查所述第一存儲器單元或所述第二存儲器單元之一的程序狀態,并且在所述第一驗證階段或所述第二驗證階段中的另一個期間以遞減驗證順序檢查所述第一存儲器單元或所述第二存儲器單元中另一個的程序狀態。
7.根據權利要求2所述的電路,其中所述驗證控制電路被配置為在所述第一驗證階段和所述第二驗證階段的持續時間內保持所述塊的所有多個位線的位線電壓處于選定位線水平。
8.根據權利要求1所述的電路,其中所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元耦接到所述塊的不同字線。
9.根據權利要求8所述的電路,其中所述不同字線包括第一字線和第二字線,所述編程控制電路被配置為在向所述第一字線施加所述第一編程脈沖期間向所述第二字線施加未選字線電壓,并且在向所述第二字線施加所述第二編程脈沖期間向所述第一字線施加未選字線電壓。
10.根據權利要求1所述的電路,其中在使兩個編程-驗證回路交錯期間編程和驗證脈沖被施加到的所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元各自耦接到所述塊的相同字線。
11.根據權利要求10所述的電路,其中所述第一存儲器單元屬于所述塊的第一子塊,所述第二存儲器單元屬于所述塊的第二子塊,所述第一子塊耦接到第一漏極選擇柵極線且所述第二子塊耦接到第二漏極選擇柵極線,所述編程控制電路被配置為在施加所述第一編程脈沖期間向所述第一漏極選擇柵極線施加選定漏極選擇柵極線電壓并向所述第二漏極選擇柵極線施加未選漏極選擇柵極線電壓,并且在施加所述第二編程脈沖期間向所述第二漏極選擇柵極線施加所述選定漏極選擇柵極線電壓并向所述第一漏極選擇柵極線施加所述未選漏極選擇柵極線電壓。
12.一種裝置,所述裝置包括:
用于確定使兩個編程-驗證回路交錯的序列的裝置;
用于在第一編程階段期間根據所述序列向塊的第一存儲器單元施加第一編程脈沖的裝置;
用于在施加所述第一編程脈沖之后且在施加第一多個驗證脈沖到所述塊的第一存儲器單元之前,在第二編程階段期間根據所述序列向所述塊的第二存儲器單元施加第二編程脈沖的裝置;
用于在施加所述第二編程脈沖之后在第一驗證階段期間根據所述序列向所述第一存儲器單元施加所述第一多個驗證脈沖的裝置;以及
用于在施加所述第一多個驗證脈沖之后,在第二驗證階段期間根據所述序列向所述塊的第二存儲器單元施加第二多個驗證脈沖的裝置;
其中在所述第一驗證階段或第二驗證階段中的至少一個期間施加的所述第一多個驗證脈沖或所述第二多個驗證脈沖中的至少一個具有順序降低或增大的驗證脈沖水平。
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