[發(fā)明專利]檢測芯片及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980000847.0 | 申請日: | 2019-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN112399887B | 公開(公告)日: | 2023-02-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 殷雨丹 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | B01L3/00 | 分類號: | B01L3/00;G01N33/50 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢測 芯片 及其 制備 方法 | ||
一種檢測芯片及其制備方法,該檢測芯片包括第一基板、多個檢測單元和至少一個導(dǎo)流壩。多個檢測單元位于第一基板上,導(dǎo)流壩位于第一基板上,導(dǎo)流壩沿第一路徑延伸且位于相鄰的檢測單元之間。該檢測芯片可以提高流場的穩(wěn)定性和平行性,有助于提高免疫檢測結(jié)果的準確度,且具有體積小、高通量等特點。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開的實施例涉及一種檢測芯片及其制備方法。
背景技術(shù)
隨著生物化學(xué)檢測技術(shù)的發(fā)展,微流控芯片(Microfluidic Chip)逐漸成為研究熱點,并且涉及到生物、化學(xué)、醫(yī)學(xué)、流體、電子、材料、機械等多個學(xué)科。微流控芯片可以在數(shù)十至數(shù)百微米尺度通道內(nèi)處理和操縱微量(例如10-9至10-18升)流體。由于微流控芯片的微米級結(jié)構(gòu)顯著增大了流體的比表面積,即表面積與體積的比例,從而導(dǎo)致了一系列與表面有關(guān)的特殊效應(yīng),例如層流效應(yīng)、表面張力、毛細效應(yīng)、快速熱傳導(dǎo)效應(yīng)、擴散效應(yīng)等。因此,微流控芯片具有宏觀尺度實驗室裝置所不具有的優(yōu)越性能,具有廣闊的應(yīng)用前景。
發(fā)明內(nèi)容
本公開至少一個實施例提供一種檢測芯片,包括:第一基板;多個檢測單元,位于所述第一基板上;至少一個導(dǎo)流壩,位于所述第一基板上,所述導(dǎo)流壩沿第一路徑延伸且位于相鄰的檢測單元之間。
例如,在本公開一實施例提供的檢測芯片中,所述多個檢測單元排列為多列,所述第一路徑沿列方向延伸。
例如,在本公開一實施例提供的檢測芯片中,每列檢測單元的兩側(cè)均設(shè)置有所述導(dǎo)流壩。
例如,在本公開一實施例提供的檢測芯片中,所述至少一個導(dǎo)流壩包括多個導(dǎo)流壩,所述多個導(dǎo)流壩彼此平行。
例如,在本公開一實施例提供的檢測芯片中,所述導(dǎo)流壩沿垂直于所述第一基板的方向的高度大于所述檢測單元沿垂直于所述第一基板的方向的高度。
例如,本公開一實施例提供的檢測芯片還包括親水層,其中,所述親水層覆蓋所述檢測單元和所述導(dǎo)流壩。
例如,在本公開一實施例提供的檢測芯片中,所述親水層覆蓋所述檢測單元的部分包括化學(xué)修飾基團。
例如,本公開一實施例提供的檢測芯片還包括疏水層,其中,所述疏水層設(shè)置在所述第一基板上,所述檢測單元和所述導(dǎo)流壩設(shè)置在所述疏水層上。
例如,本公開一實施例提供的檢測芯片還包括第二基板,其中,所述第二基板與所述第一基板相對設(shè)置,且與所述第一基板間隔開以提供檢測空間。
例如,本公開一實施例提供的檢測芯片還包括進樣口和出樣口,其中,所述進樣口和所述出樣口設(shè)置在所述第二基板上。
例如,本公開一實施例提供的檢測芯片還包括檢測區(qū)域,其中,所述多個檢測單元位于所述檢測區(qū)域中,所述多個檢測單元排列為多列,所述進樣口和所述出樣口沿列方向分布在所述檢測區(qū)域的兩側(cè)。
例如,在本公開一實施例提供的檢測芯片中,所述進樣口和所述出樣口沿所述列方向軸對稱或中心對稱分布在所述檢測區(qū)域的兩側(cè)。
例如,在本公開一實施例提供的檢測芯片中,所述第一基板和/或所述第二基板為玻璃基板。
例如,本公開一實施例提供的檢測芯片還包括封框膠,其中,所述封框膠位于所述第一基板和所述第二基板之間,且圍繞所述導(dǎo)流壩和所述多個檢測單元。
例如,在本公開一實施例提供的檢測芯片中,所述導(dǎo)流壩的高度為所述第一基板與所述第二基板之間的距離的30%至60%。
例如,在本公開一實施例提供的檢測芯片中,所述導(dǎo)流壩的寬度為50微米至200微米,所述導(dǎo)流壩與相鄰的檢測單元的間距大于或等于100微米。
例如,在本公開一實施例提供的檢測芯片中,所述導(dǎo)流壩的長度大于或等于所述多個檢測單元在所述第一路徑上的長度之和。
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