[發明專利]具有增大數量的位線的架構的三維存儲設備

有效

• 申請號: 201980000491.0
• 申請日: 2019-03-01
• 公開（公告）號: CN110024127B
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發明（設計）人: 劉峻;薛磊
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11578
• 分類號: H01L27/11578;H01L27/11563
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 林錦輝

1.一種三維3D存儲設備，包括：

襯底；

多個存儲器串，每個存儲器串在存儲區域中在所述襯底上方垂直延伸；

多條位線，其在所述多個存儲器串上方，其中，所述多條位線中的至少一條位線電連接到所述多個存儲器串中的單個存儲器串；以及

沿所述存儲區域的邊界橫向延伸的至少一個縫隙結構。

2.根據權利要求1所述的3D存儲設備，其中，所述多個存儲器串中的每一個存儲器串電連接到所述多條位線中的單個不同的一條位線。

3.根據權利要求1所述的3D存儲設備，其中，

所述多個存儲器串布置為在所述存儲區域中沿第一橫向方向和第二橫向方向延伸的陣列，所述第一橫向方向垂直于所述第二橫向方向；并且

所述多條位線沿所述第一橫向方向進行布置并且沿所述第二橫向方向延伸，所述多條位線彼此平行，其中，

在存儲區域中，布置在沿所述第一橫向方向的溝道間距中的位線的數量等于電連接到沿所述第二橫向方向的位線的存儲器串的數量。

4.根據權利要求3所述的3D存儲設備，其中，

所述陣列布置在兩個縫隙結構之間，每個縫隙結構沿所述第一橫向方向橫向延伸；并且

布置在所述溝道間距中的位線的數量等于在所述溝道間距中且在所述兩個縫隙結構之間的存儲器串的數量。

5.根據權利要求3-4中的任一項所述的3D存儲設備，其中，所述溝道間距中的位線均勻間隔，沿所述第一橫向方向的位線間距標稱上等于所述溝道間距的1/N，N等于所述溝道間距中的位線的數量。

6.根據權利要求3-4中的任一項所述的3D存儲設備，其中，所述陣列包括沿所述第二橫向方向的至少六個串行。

7.根據權利要求6所述的3D存儲設備，其中，N是正偶數。

8.根據權利要求1-4中的任一項所述的3D存儲設備，其中，所述多個存儲器串均包括溝道結構和在所述溝道結構上方的漏極，所述漏極電連接到相應的位線。

9.根據權利要求1-4中的任一項所述的3D存儲設備，其中，沒有切口結構與所述存儲區域中的所述多個存儲器串重疊，所述存儲區域是指狀物。

10.根據權利要求9所述的3D存儲設備，還包括橫向延伸并與所述多個存儲器串交叉的多個交錯的導體層和絕緣層，其中，第一導體層沿著其在所述存儲區域中延伸的方向連續延伸。

11.一種三維3D存儲系統，包括：

存儲器疊層，其包括在襯底上方的絕緣結構中的多個交錯的導體層和絕緣層；

多個存儲器串，其沿存儲區域的第一橫向方向和第二橫向方向在所述存儲器疊層中延伸，所述多個存儲器串中的每一個垂直延伸到所述襯底中；

多條位線，其在所述多個存儲器串上方并且電連接到所述多個存儲器串，其中，所述多條位線中的至少一條位線電連接到所述多個存儲器串中的單個存儲器串；

多個外圍設備，其電連接到所述多個存儲器串；以及

沿所述存儲區域的邊界橫向延伸的至少一個縫隙結構。

12.根據權利要求11所述的3D存儲系統，其中，所述多個存儲器串中的每一個存儲器串電連接到所述多條位線中的單個不同的一條位線。

13.根據權利要求11所述的3D存儲系統，其中，

所述多個存儲器串布置為在所述存儲區域中沿所述第一橫向方向和所述第二橫向方向延伸的陣列，所述第一橫向方向垂直于所述第二橫向方向；并且

所述多條位線沿所述第一橫向方向進行布置并且沿所述第二橫向方向延伸，所述多條位線彼此平行，其中，

在存儲區域中，布置在沿所述第一橫向方向的溝道間距中的位線的數量等于電連接到沿所述第二橫向方向的位線的存儲器串的數量。