[實(shí)用新型]一種基于立體封裝技術(shù)的SDRAM存儲(chǔ)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201922495256.5
• 申請(qǐng)日: 2019-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN211376639U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹越;王偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 青島歐比特宇航科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/065
• 分類號(hào): H01L25/065;H01L27/108;H01L23/31
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種基于立體封裝技術(shù)的SDRAM存儲(chǔ)器，包括SDRAM芯片，其特征在于：還包括基板，所述基板共三層且處于最上層的基板的上端設(shè)有一個(gè)SDRAM芯片，在相鄰兩個(gè)基板之間設(shè)有兩個(gè)SDRAM芯片；

所述基板上還設(shè)有第二對(duì)外引線橋，所述SDRAM芯片在基板上實(shí)現(xiàn)拓?fù)浠ミB，引出的信號(hào)連接第二對(duì)外引線橋上；

所述基板的下端設(shè)有底板，所述底板為對(duì)外引腳層且其上焊接有第一對(duì)外引線橋和對(duì)外引腳BGA焊盤(pán)；

所述底板的下端設(shè)有BGA焊球，所述BGA焊球直接焊接在底板的對(duì)外引腳BGA焊盤(pán)上作為對(duì)外引腳。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于立體封裝技術(shù)的SDRAM存儲(chǔ)器，其特征在于：所述底板上方與處于最上層的基板上的SDRAM芯片之間包覆有灌裝層，形成封裝體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于立體封裝技術(shù)的SDRAM存儲(chǔ)器，其特征在于：所述封裝體的側(cè)面上設(shè)有表面激光刻線，通過(guò)表面激光刻線實(shí)現(xiàn)信號(hào)間的連接，各層基板間通過(guò)表面激光刻線進(jìn)行拓?fù)浠ミB，從而縮短和減少了SDRAM芯片間的拓?fù)渥呔€。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于立體封裝技術(shù)的SDRAM存儲(chǔ)器，其特征在于：所述SDRAM芯片相關(guān)的各個(gè)SDRAM地址A、BANK選擇地址BA、行地址所存RAS、列地址所存CAS和寫(xiě)信號(hào)WE復(fù)用，且SDRAM芯片相關(guān)的片選CS、時(shí)鐘使能CKE和時(shí)鐘CK分2組，數(shù)據(jù)各自引出。