[實用新型]一種硅基疊層雙面太陽電池

有效

• 申請號: 201922383756.X
• 申請日: 2019-12-26
• 公開（公告）號: CN210668401U
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 康海濤;胡燕;吳中亞;郭萬武
• 申請（專利權）人: 中建材浚鑫科技有限公司
• 主分類號: H01L31/078
• 分類號: H01L31/078;H01L31/0216;H01L31/0352
• 代理公司: 無錫睿升知識產權代理事務所(普通合伙) 32376
• 代理人: 張悅

1.一種硅基疊層雙面太陽電池，其特征在于：包括頂電池(13)和底電池(14)；所述頂電池(13)為非晶硅異質結太陽電池；所述底電池(14)為P型太陽電池；所述底電池(14)背面有鈍化膜；所述底電池(14)背面印刷有下電極(1)；所述底電池(14)與所述下電極(1)的接觸區域有通過選擇性區域摻雜形成的P⁺重摻區(4)；所述頂電池(13)和所述底電池(14)之間通過隧道結串聯。

2.根據權利要求1所述的硅基疊層雙面太陽電池，其特征在于：所述底電池(14)包括P型硅基底(5)；在所述P型硅基底(5)正面制備有N⁺摻雜層(6)；所述P型硅基底(5)與所述N⁺摻雜層(6)形成pn結；在所述P型硅基底(5)背面制備有氧化鋁薄膜(3)；在所述氧化鋁薄膜(3)背面制備有氮氧化硅薄膜(2)。

3.根據權利要求2所述的硅基疊層雙面太陽電池，其特征在于：所述氧化鋁薄膜(3)的厚度為5～20nm；所述氮氧化硅薄膜(2)的厚度為75～85nm。

4.根據權利要求2所述的硅基疊層雙面太陽電池，其特征在于：在所述P型硅基底(5)背面開有電極槽，并在所述電極槽處，對所述P型硅基底(5)通過選擇性區域摻雜形成有P⁺重摻區(4)；在所述電極槽內印刷所述下電極(1)，且所述下電極(1)與所述P⁺重摻區(4)相接觸。

5.根據權利要求1所述的硅基疊層雙面太陽電池，其特征在于：所述頂電池(13)包括依次層疊于所述底電池(14)正面的N⁺⁺微晶硅薄膜層(7)、P⁺微晶硅薄膜層(8)、本征微晶硅薄膜層(9)和N型微晶硅薄膜層(10)。

6.根據權利要求5所述的硅基疊層雙面太陽電池，其特征在于：N⁺⁺微晶硅薄膜層(7)的厚度為20～50nm。

7.根據權利要求5所述的硅基疊層雙面太陽電池，其特征在于：所述P⁺微晶硅薄膜層(8)的厚度為30～50nm。

8.根據權利要求5所述的硅基疊層雙面太陽電池，其特征在于：所述本征微晶硅薄膜層(9)的厚度為300～500nm。

9.根據權利要求5所述的硅基疊層雙面太陽電池，其特征在于：所述N型微晶硅薄膜層(10)厚度為50～70nm。

10.根據權利要求5所述的硅基疊層雙面太陽電池，其特征在于：在所述N型微晶硅薄膜層(10)正面制備有透明導電薄膜(11)；在所述透明導電薄膜(11)之上制備有上電極(12)。