[實(shí)用新型]發(fā)光元件及LED器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201922356232.1 | 申請日： | 2019-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN211350685U | 公開（公告）日： | 2020-08-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭攀;付紅超 | 申請（專利權(quán)）人： | 昆山琉明光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 蘇州謹(jǐn)和知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 唐靜芳 |
| 地址： | 215000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 元件 led 器件 | ||
1.一種發(fā)光元件，其特征在于，包括導(dǎo)光模塊、設(shè)置在所述導(dǎo)光模塊上支架，以及設(shè)置在所述支架上的發(fā)光模塊，所述支架的上下兩面上設(shè)有混合鍍層，所述混合鍍層包括鍍鎳層、鍍鉛層和鍍金層。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述鍍鎳層的厚度為1.8-2.2μm，所述鍍鉛層的厚度為0.008-0.012μm，所述鍍金層的厚度為0.004-0.01μm。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述鍍鎳層的厚度為2μm，所述鍍鉛層的厚度為0.01μm，所述鍍金層的厚度為0.007μm。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述導(dǎo)光模塊包括基板和設(shè)置在所述基板上的反射層，所述支架設(shè)置在所述反射層上。
5.如權(quán)利要求1或4所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光模塊包括發(fā)光芯片和連接所述發(fā)光芯片與混合鍍層的導(dǎo)線。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光芯片通過熒光膠固定在所述支架上。
7.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光芯片包括發(fā)光層、設(shè)置在所述發(fā)光層上的導(dǎo)電層、設(shè)置在所述導(dǎo)電層上的遮光層、設(shè)置在所述遮光層上的透明基底以及設(shè)置在所述透明基底上的增透層。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光芯片還包括散熱結(jié)構(gòu)，所述散熱結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述導(dǎo)電層、遮光層或透明基底中的至少一個或多個。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述支架上設(shè)有電連接的齊納二極管。
10.一種LED器件，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件。
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