[實用新型]一種平面型銦鎵砷焦平面探測器的PIN結結構有效
| 申請號： | 201922276927.9 | 申請日： | 2019-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN211789059U | 公開（公告）日： | 2020-10-27 |
| 發明（設計）人： | 朱琴;龔曉霞;楊文運;宋欣波;李徳香;肖婷婷;范明國;杜潤來;尚發蘭;呂浩;柴圓媛;太云見;黃暉 | 申請（專利權）人： | 云南北方昆物光電科技發展有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/105 | 分類號： | H01L31/105;H01L31/0352;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 北京理工大學專利中心 11120 | 代理人： | 周蜜 |
| 地址： | 650223 云南*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 平面 型銦鎵砷焦 探測器 pin 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種平面型銦鎵砷焦平面探測器的PIN結結構，其特征在于：所述結構包括將平面型InGaAs焦平面探測器InGaAs吸收層(4)上的N型InP層(5)的厚度控制為10nm～30nm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
