[實用新型]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和LED外延片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201922242613.7
• 申請日: 2019-12-13
• 公開（公告）號: CN211654850U
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 程凱;張麗旸
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/12;H01L33/20
• 代理公司: 北京博思佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11415
• 代理人: 王嬋

本申請是關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和LED外延片。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：基板；多個分布式布拉格反射鏡DBR，所述多個DBR形成于所述基板的一側(cè)表面，且至少一個所述DBR的側(cè)面呈弧形狀設(shè)置。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和LED外延片。

背景技術(shù)

以氮化鎵、氮化鋁和氮化銦及其三元和四元合金材料為主的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體材料，以其優(yōu)異的物理、化學(xué)穩(wěn)定性以及高電子遷移率等特性，逐漸成為二極管器件領(lǐng)域內(nèi)的優(yōu)選材料。而LED器件中襯底的結(jié)構(gòu)與特性對生長在該襯底上的其他結(jié)構(gòu)層具有重大影響。

實用新型內(nèi)容

本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和LED外延片，以解決相關(guān)技術(shù)中的不足。

根據(jù)本申請實施例的第一方面，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

基板；

多個分布式布拉格反射鏡DBR，所述多個DBR形成于所述基板的一側(cè)表面，且至少一個所述DBR的側(cè)面呈弧形狀設(shè)置。

可選的，所述DBR為類圓錐形、類圓臺形、類多邊錐形或者類多邊臺形。

可選的，每一DBR由氮化硅、氧化硅和氧化鈦中的任意兩種材料組成。

可選的，每一DBR包括多個氮化硅層和多個氧化硅層，所述多個氮化硅層和所述多個氧化硅層交替設(shè)置。

可選的，所述DBR包括7-15個交替周期，每一交替周期包括層疊設(shè)置的單層氮化硅層和單層氧化硅層。

可選的，所述DBR包括10個交替周期。

可選的，每一DBR的高度位于1.5um-2um之間。

可選的，還包括緩沖層，所述緩沖層覆蓋所述多個DBR上遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，并與所述多個DBR以及部分所述基板接觸。

可選的，所述基板包括下述之一：

藍(lán)寶石基板、硅基板、碳化硅基板。

根據(jù)本申請實施例的第二方面，提供一種LED外延片，包括如上述中任一項實施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

可選的，所述LED外延片還包括外延層，所述外延層形成于所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上。本申請的實施例提供的技術(shù)方案可以包括以下有益效果：

由上述實施例可知，本申請中的多個DBR結(jié)構(gòu)中有至少一個DBR側(cè)面呈弧狀設(shè)置，因而加大了光線與發(fā)射面的接觸面積，可以提高該呈側(cè)面設(shè)置的DBR 的反射率，從而能夠反射更多的朝半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)出射的光線，可以提高配置有該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的LED組件的出光效率。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本申請。

附圖說明

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本申請的實施例，并與說明書一起用于解釋本申請的原理。

圖1是根據(jù)一示例性實施例示出的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是根據(jù)一示例性實施例示出的另一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是圖2的局部放大示意圖。

圖4是根據(jù)一示例性實施例示出的還一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是根據(jù)一示例性實施例示出的一種LED外延片結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式