[實用新型]半導體結構

有效

• 申請號: 201922154132.0
• 申請日: 2019-12-04
• 公開（公告）號: CN211017081U
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 吳秉桓
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L23/535
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

本實用新型涉及一種半導體結構，包括：基底，基底內形成有若干個間隔排布的有源區；若干個平行間隔排布的柵極結構，位于基底內；位線接觸結構，位于基底內；絕緣襯墊層，位于基底內，且位于位線接觸結構與柵極結構之間，以將位線接觸結構與柵極結構絕緣隔離。使得位線接觸結構與柵極結構之間被絕緣襯墊層隔開，兩者即使存在交錯的部分也不易出現短路或者產生較高的寄生電容，因此位線接觸結構能夠向有源區深處延伸，而柵極結構內的導電結構能夠向有源區上表面延伸，絕緣襯墊層在隔開柵極結構和位線接觸結構的同時也隔開了橫跨同一有源區的相鄰柵極結構，減小了相鄰柵極結構的相互影響，減輕存儲器產生漏洞的風險。

技術領域

本實用新型涉及半導體領域，特別是涉及一種半導體結構。

背景技術

半導體結構中通常包括字線和位線接觸結構，由于字線和位線接觸結構過于靠近可能會短路或產生過高的寄生電容，因此在制備時為了減少這些故障，會拉開了字線和位線接觸結構的距離，出現位線接觸結構不深入有源區而字線深埋有源區的情況，導致位元線接觸窗無法深入到有源區深處。

實用新型內容

基于此，有必要針對上述問題，提供一種半導體結構。

一種半導體結構，包括：

基底，所述基底內形成有若干個間隔排布的有源區；

柵極結構，位于所述基底內，且同一所述有源區中至少間隔排布有一組所述柵極結構；

絕緣襯墊層，所述絕緣襯墊層位于所述柵極結構之間，且所述絕緣襯墊層的底表面要低于所述柵極結構的頂表面；

位線接觸結構，位于同一所述有源區上相鄰的一組所述柵極結構之間的所述絕緣襯墊層中，且所述位線接觸結構的底表面與所述柵極結構之間的所述有源區接觸。

通過上述技術方案，使得位線接觸結構與柵極結構之間被絕緣襯墊層隔開，兩者即使存在交錯的部分也不易出現短路或者產生較高的寄生電容，因此位線接觸結構能夠向有源區深處延伸，而柵極結構的導電部分能夠向有源區上表面延伸，絕緣襯墊層在隔開柵極結構和位線接觸結構的同時也隔開了橫跨同一有源區的相鄰柵極結構，減小了相鄰柵極結構的相互影響，減輕存儲器產生漏洞的風險。

在其中一個實施例中，所述絕緣襯墊層的底表面為連續的非平面表面。

在其中一個實施例中，所述絕緣襯墊層的底表面還同時位于部分所述柵極結構上，且位于所述柵極結構上的所述絕緣襯墊層的底表面低于位于所述有源區上的所述絕緣襯墊層的底表面。

在其中一個實施例中，所述絕緣襯墊層的底表面不高于所述柵極結構的底表面。

在其中一個實施例中，所述絕緣襯墊層包括二氧化硅層、氮化硅層、氮氧化硅層、碳化硅層及高k介質層中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述絕緣襯墊層內形成有空氣隙。

在其中一個實施例中，所述位線接觸結構的高寬比為2:1～10:1。

在其中一個實施例中，所述基底內還形成有源區及漏區；所述漏區位于所述位線接觸結構的下方，且與所述位線接觸結構的底部相接觸；所述源區位于所述柵極結構遠離所述漏區的一側。

在其中一個實施例中，所述柵極結構包括第一導電層、第二導電層、柵極氧化層及覆蓋介質層；所述第一導電層位于所述第二導電層與所述柵極氧化層之間，所述覆蓋介質層覆蓋所述第一導電層及所述第二導電層的頂部，所述柵極氧化層位于所述第一導電層與所述基底之間及所述覆蓋介質層與所述基底之間。

在其中一個實施例中，所述第二導電層的高度為所述柵極結構的高度的 1/3～3/4；所述源區的深度為所述柵極結構的高度的1/3～2/3。

附圖說明