[實(shí)用新型]芯片的三維封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201922147430.7 | 申請日: | 2019-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN210722993U | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳彥亨;林正忠;吳政達(dá) | 申請(專利權(quán))人: | 中芯長電半導(dǎo)體(江陰)有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/49 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 賀妮妮 |
| 地址: | 214437 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 三維 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種芯片的三維封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述三維封裝結(jié)構(gòu)至少包括:
兩片以上具有焊墊的芯片,兩片以上所述芯片呈階梯型構(gòu)造層疊,所述焊墊設(shè)置于所述階梯型構(gòu)造的階梯臺面中;
金屬連接柱,形成于所述焊墊上并與所述焊墊電連接;
封裝層,覆蓋所述金屬連接柱及所述芯片,且所述封裝層的頂面顯露所述金屬連接柱;
重新布線層,形成于所述封裝層上,所述金屬連接柱與所述重新布線層電連接;
金屬凸塊,形成于所述重新布線層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片的三維封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述芯片包括存儲芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片的三維封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述焊墊的材料包括金屬鋁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片的三維封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述金屬連接柱的材料包括金、銀、鋁、銅中的至少一種,所述封裝層的材料包括聚酰亞胺、硅膠及環(huán)氧樹脂中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片的三維封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述重新布線層包括介質(zhì)層及金屬布線層,所述介質(zhì)層的材料包括由環(huán)氧樹脂、硅膠、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃及含氟玻璃組成的群組中的一種或兩種以上組合;所述金屬布線層的材料包括由銅、鋁、鎳、金、銀及鈦組成的群組中的一種或兩種以上組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片的三維封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述金屬凸塊包括金錫焊球、銀錫焊球、銅錫焊球中的一種,或者,所述金屬凸塊包括金屬柱,以及形成于所述金屬柱上的焊球。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片的三維封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述金屬柱的材料包括銅或鎳。
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