[實用新型]一種溝槽IGBT

有效

• 申請號: 201922123553.7
• 申請日: 2019-12-02
• 公開（公告）號: CN211295108U
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 俞義長;趙善麒
• 申請（專利權）人: 江蘇宏微科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 高姍

1.一種溝槽IGBT，包括半導體襯底和IGBT元胞，所述半導體襯底為N型襯底，其特征在于，所述IGBT元胞為對稱結構，所述IGBT元胞包括兩個真溝槽柵單元，兩個所述真溝槽柵單元之間設置有至少兩個假溝槽單元，兩個所述假溝槽單元之間設置至少一個假溝槽柵單元，所述真溝槽柵單元和所述假溝槽柵單元連接柵極金屬，所述假溝槽單元連接發射極金屬。

2.一種溝槽IGBT，包括半導體襯底和IGBT元胞，所述半導體襯底為N型襯底，其特征在于，所述IGBT元胞為對稱結構，所述IGBT元胞包括兩個真溝槽柵單元，兩個所述真溝槽柵單元之間設置有一個假溝槽柵單元，所述真溝槽柵單元和所述假溝槽柵單元連接柵極金屬，發射極金屬設置在真溝槽柵單元和所述假溝槽柵單元之間。

3.一種溝槽IGBT，包括半導體襯底和IGBT元胞，所述半導體襯底為N型襯底，其特征在于，所述IGBT元胞為對稱結構，所述IGBT元胞包括兩個真溝槽柵單元，兩個所述真溝槽柵單元之間設置有一個假溝槽單元，所述真溝槽柵單元連接柵極金屬，所述假溝槽單元連接發射極金屬。

4.根據權利要求1或2或3所述的溝槽IGBT，其特征在于，相鄰溝槽之間設置有第一摻雜區，所述第一摻雜區的摻雜類型與所述半導體襯底的類型相反。

5.根據權利要求4所述的溝槽IGBT，其特征在于，所述真溝槽柵單元的兩側設置分別有與所述第一摻雜區的摻雜類型相反的第二摻雜區。

6.根據權利要求5所述的溝槽IGBT，其特征在于，所述發射極金屬連接所述第一摻雜區和所述第二摻雜區。