[實(shí)用新型]低壓混合式直流斷路器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201922123524.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN210957783U | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-07-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱建;薛金方 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 常州市武進(jìn)華聯(lián)電控設(shè)備股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02H9/02 | 分類號(hào): | H02H9/02;H01H9/30 |
| 代理公司: | 常州市夏成專利事務(wù)所(普通合伙) 32233 | 代理人: | 王敏 |
| 地址: | 213000 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 低壓 混合式 直流 斷路器 | ||
本實(shí)用新型涉及斷路器領(lǐng)域,尤其是低壓混合式直流斷路器。該斷路器包括開(kāi)關(guān)S1、開(kāi)關(guān)S2、備用開(kāi)關(guān)ACJ1、主支路開(kāi)關(guān)ACJ2、避雷器MOV、二極管D1、電阻R1、電容C1、二極管D2、電阻R2、電容C2、絕緣柵雙極晶體管IGBT1和絕緣柵雙極晶體管IGBT2,所述開(kāi)關(guān)S1與開(kāi)關(guān)S2之間并聯(lián)有備用開(kāi)關(guān)ACJ1、主支路開(kāi)關(guān)ACJ2、避雷器MOV,開(kāi)關(guān)S1分別與二極管D1的正極、電阻R1的一端、絕緣柵雙極晶體管IGBT1的集電極相連。該實(shí)用新型充分利用了機(jī)械開(kāi)關(guān)的低損耗載流能力與絕緣能力、固態(tài)開(kāi)關(guān)的開(kāi)斷能力,實(shí)現(xiàn)直流電流的快速轉(zhuǎn)移和快速開(kāi)斷,開(kāi)斷時(shí)間<5ms。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及斷路器領(lǐng)域,尤其是低壓混合式直流斷路器。
背景技術(shù)
在直流斷路器的開(kāi)斷過(guò)程中,觸頭打開(kāi)后將在觸頭之間形成電弧,因此,斷路器的任務(wù)就是迅速使電流過(guò)零,熄滅電弧,加速介質(zhì)恢復(fù),防止再次擊穿和電弧的重燃。然而,與交流系統(tǒng)相比,直流系統(tǒng)的開(kāi)斷更加困難,這是因?yàn)橹绷飨到y(tǒng)不存在自然過(guò)零點(diǎn),必須采用一定的技術(shù)手段迫使電流過(guò)零。另外,在開(kāi)斷過(guò)程中直流斷路器還需要吸收存儲(chǔ)在系統(tǒng)電感中的大量能量。因此,直流斷路器中的電弧調(diào)控技術(shù)難度大、要求高。
實(shí)用新型內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有的直流斷路器控制難度大的不足,本實(shí)用新型提供了低壓混合式直流斷路器。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種低壓混合式直流斷路器,包括開(kāi)關(guān)S1、開(kāi)關(guān)S2、備用開(kāi)關(guān)ACJ1、主支路開(kāi)關(guān)ACJ2、避雷器MOV、二極管D1、電阻R1、電容C1、二極管D2、電阻R2、電容C2、絕緣柵雙極晶體管IGBT1和絕緣柵雙極晶體管IGBT2,所述開(kāi)關(guān)S1與開(kāi)關(guān)S2之間并聯(lián)有備用開(kāi)關(guān)ACJ1、主支路開(kāi)關(guān)ACJ2、避雷器MOV,開(kāi)關(guān)S1分別與二極管D1的正極、電阻R1的一端、絕緣柵雙極晶體管IGBT1的集電極相連,二極管D1的負(fù)極、電阻R1的另一端分別與電容C1的一端相連,電容C1的另一端分別與電容C2的一端和絕緣柵雙極晶體管IGBT2的發(fā)射極相連,絕緣柵雙極晶體管IGBT1的發(fā)射極分別與電容C2的一端和絕緣柵雙極晶體管IGBT2的發(fā)射極相連,電容C2的另一端分別與二極管D2的負(fù)極和電阻R2的一端相連,二極管D2的正極、電阻R2的另一端、絕緣柵雙極晶體管IGBT2的集電極分別與開(kāi)關(guān)S2相連。
根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例,進(jìn)一步包括所述所述絕緣柵雙極晶體管IGBT1和絕緣柵雙極晶體管IGBT2均為N溝道絕緣柵雙極晶體管。
本實(shí)用新型的有益效果是,該實(shí)用新型充分利用了機(jī)械開(kāi)關(guān)的低損耗載流能力與絕緣能力、固態(tài)開(kāi)關(guān)的開(kāi)斷能力,實(shí)現(xiàn)直流電流的快速轉(zhuǎn)移和快速開(kāi)斷,開(kāi)斷時(shí)間<5ms。
附圖說(shuō)明
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。
圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種低壓混合式直流斷路器,包括開(kāi)關(guān)S1、開(kāi)關(guān)S2、備用開(kāi)關(guān)ACJ1、主支路開(kāi)關(guān)ACJ2、避雷器MOV、二極管D1、電阻R1、電容C1、二極管D2、電阻R2、電容C2、絕緣柵雙極晶體管IGBT1和絕緣柵雙極晶體管IGBT2,所述開(kāi)關(guān)S1與開(kāi)關(guān)S2之間并聯(lián)有備用開(kāi)關(guān)ACJ1、主支路開(kāi)關(guān)ACJ2、避雷器MOV,開(kāi)關(guān)S1分別與二極管D1的正極、電阻R1的一端、絕緣柵雙極晶體管IGBT1的集電極相連,二極管D1的負(fù)極、電阻R1的另一端分別與電容C1的一端相連,電容C1的另一端分別與電容C2的一端和絕緣柵雙極晶體管IGBT2的發(fā)射極相連,絕緣柵雙極晶體管IGBT1的發(fā)射極分別與電容C2的一端和絕緣柵雙極晶體管IGBT2的發(fā)射極相連,電容C2的另一端分別與二極管D2的負(fù)極和電阻R2的一端相連,二極管D2的正極、電阻R2的另一端、絕緣柵雙極晶體管IGBT2的集電極分別與開(kāi)關(guān)S2相連。所述絕緣柵雙極晶體管IGBT1和絕緣柵雙極晶體管IGBT2均為N溝道絕緣柵雙極晶體管。
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