[實用新型]一種管式PECVD凈化臺設備有效
| 申請號: | 201922122328.1 | 申請日: | 2019-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN210974869U | 公開(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發明(設計)人: | 周佑丞;張春成;李曄純;成秋云;吳得軼 | 申請(專利權)人: | 湖南紅太陽光電科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;C23C16/50;H01L31/18 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 戴玲 |
| 地址: | 410205 湖南省*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 pecvd 凈化 設備 | ||
本實用新型公開了一種管式PECVD凈化臺設備,包括主框架、上下料系統、輸送滑臺和緩存架,緩存架設于主框架內,且緩存架包括多層用于存放石墨舟的緩存位,主框架對應每層緩存位設有反應爐對接窗口,輸送滑臺設于主框架的底部用于輸送石墨舟進出主框架,上下料系統包括三軸移動模組和設于三軸移動模組上的托舟機構,三軸移動模組用于驅動托舟機構與輸送滑臺對接、用于驅動托舟機構與各緩存位對接以及用于驅動托舟機構穿過反應爐對接窗口進出對應的反應爐內。本實用新型僅通過一個三軸上下料系統,可實現PECVD設備石墨舟進出反應爐、緩存架及輸送滑臺全部動作,簡化了設備結構的復雜性,優化了設備內部操作空間布局,提升石墨舟傳送速度。
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池制備設備,尤其涉及一種管式PECVD凈化臺設備。
背景技術
PECVD(等離子增強化學氣相沉積)設備主要利用等離子體聚合法在太陽能電池片上沉積形成氮化硅減反射膜,以提高太陽能電池的光電轉換效率。而太陽能電池片進出PECVD反應爐由石墨舟進行裝載,石墨舟在設備內部主要由推舟機構及上下料機械手實現其從反應爐到緩存架及滑臺等位置的循環運動。
目前,PECVD設備一般有多管同時進行氮化硅減反射膜沉積工藝,每管之間的化學氣相沉積反應是相互獨立的,以目前常用的傳統五管PECVD設備為例,每一管由一個單獨的推舟機構負責石墨舟進出反應爐,該推舟機構具有兩套電機系統用于實現石墨舟進出反應爐的上下和前進后退運動,五套推舟即配備十套電機及伺服驅動系統;同時,石墨舟在設備內部的流轉(比如石墨舟出爐后上緩存架冷卻、石墨舟通過滑臺進入插片機插取硅片等動作)仍需配備一套專門的上下料機械手機構,該上下料機械手機構具有三套電機及伺服驅動系統用于實現五管推舟之間的豎直運動以及滑臺、緩存架及推舟間的橫向運動,導致其具有結構復雜、所需成本高、互換性差,故障率高等缺點。
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是克服現有技術的不足,提供一種結構簡單、經濟節約、運行穩定的管式PECVD凈化臺設備。
為解決上述技術問題,本實用新型采用以下技術方案:
一種管式PECVD凈化臺設備,包括主框架、上下料系統、輸送滑臺和緩存架,所述緩存架設于主框架內,且緩存架包括多層用于存放石墨舟的緩存位,所述主框架對應每層緩存位設有反應爐對接窗口,所述輸送滑臺設于主框架的底部用于輸送石墨舟進出主框架,所述上下料系統包括三軸移動模組和設于三軸移動模組上的托舟機構,所述三軸移動模組用于驅動托舟機構與輸送滑臺對接、用于驅動托舟機構與各緩存位對接以及用于驅動托舟機構穿過反應爐對接窗口進出對應的反應爐內。
作為上述技術方案的進一步改進,所述三軸移動模組包括X軸移動模塊、Y軸移動模塊和Z軸移動模塊,所述Y軸移動模塊設于Z軸移動模塊的滑塊上,所述X軸移動模塊設于Y軸移動模塊的滑塊上,所述托舟機構設于X軸移動模塊的滑塊上。
作為上述技術方案的進一步改進,所述Z軸移動模塊設置兩組,所述Y軸移動模塊設置兩組,兩組Y軸移動模塊分別設于兩組Z軸移動模塊的滑塊上,所述X軸移動模塊設于兩個Y軸移動模塊的滑塊上。
作為上述技術方案的進一步改進,所述托舟機構包括碳化硅桿、支撐桿和固定座,所述碳化硅桿與支撐桿連接,所述支撐桿與固定座連接,所述固定座與X軸移動模塊的滑塊連接,所述碳化硅桿與支撐桿均與X軸移動模塊平行。
作為上述技術方案的進一步改進,所述固定座設有兩個安裝孔,所述支撐桿一端穿設于兩個安裝孔內,所述支撐桿位于安裝孔內的表面設有多個調節塊,所述調節塊上設有螺紋孔,所述固定座上對應每個調節塊設有調整螺栓,所述調整螺栓伸入安裝孔內與調節塊的螺紋孔配合。
作為上述技術方案的進一步改進,所述調節塊為楔塊。
作為上述技術方案的進一步改進,所述碳化硅桿與支撐桿通過至少一個卡箍連接。
與現有技術相比,本實用新型的優點在于:
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





