[實(shí)用新型]一種擴(kuò)散插片機(jī)及其擴(kuò)散退火碎片檢測(cè)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201922107309.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-11-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN210443535U | 公開(公告)日: | 2020-05-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 溫衛(wèi)江;饒旭杰;周典儒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江正泰太陽(yáng)能科技有限公司;海寧正泰新能源科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐麗 |
| 地址: | 310051 浙江*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 擴(kuò)散 插片機(jī) 及其 退火 碎片 檢測(cè) 裝置 | ||
1.一種擴(kuò)散退火碎片檢測(cè)裝置,其特征在于,包括用以感應(yīng)吸盤存在情況的吸盤感應(yīng)器(1)、用以感應(yīng)頂齒(4)存在情況的頂齒感應(yīng)器(2),以及設(shè)于所述吸盤感應(yīng)器(1)與所述頂齒感應(yīng)器(2)之間、用以感應(yīng)散落于所述頂齒(4)內(nèi)部的碎片存在情況的碎片感應(yīng)器(3),所述吸盤感應(yīng)器(1)、所述頂齒感應(yīng)器(2)以及所述碎片感應(yīng)器(3)均設(shè)置于插片機(jī)機(jī)架上;還包括與所述吸盤感應(yīng)器(1)、所述碎片感應(yīng)器(3)、所述頂齒感應(yīng)器(2)以及PLC相連、用以當(dāng)所述吸盤感應(yīng)器(1)未檢測(cè)到吸盤存在、且所述碎片感應(yīng)器(3)檢測(cè)到碎片存在時(shí),或者所述頂齒感應(yīng)器(2)未檢測(cè)到頂齒(4)存在、且所述碎片感應(yīng)器(3)檢測(cè)到碎片存在時(shí),能夠控制所述PLC停止運(yùn)行的控制裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散退火碎片檢測(cè)裝置,其特征在于,所述控制裝置包括與所述碎片感應(yīng)器(3)相連的繼電器KA1、與所述吸盤感應(yīng)器(1)相連的繼電器KA2以及與所述頂齒感應(yīng)器(2)相連的繼電器KA3,所述繼電器KA1、所述繼電器KA2和所述繼電器KA3串聯(lián)于同一線路上,所述繼電器KA1為常開式繼電器,所述繼電器KA2和所述繼電器KA3為常閉式繼電器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的擴(kuò)散退火碎片檢測(cè)裝置,其特征在于,所述碎片感應(yīng)器(3)具體為光纖感應(yīng)器。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的擴(kuò)散退火碎片檢測(cè)裝置,其特征在于,所述碎片感應(yīng)器(3)的檢測(cè)位置與頂齒(4)的最低點(diǎn)相平齊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的擴(kuò)散退火碎片檢測(cè)裝置,其特征在于,所述吸盤感應(yīng)器(1)和所述頂齒感應(yīng)器(2)具體為光電感應(yīng)器或者光纖感應(yīng)器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5任一項(xiàng)所述的擴(kuò)散退火碎片檢測(cè)裝置,其特征在于,還包括與所述控制裝置相連、用以當(dāng)所述控制裝置控制所述PLC停止時(shí)鳴響報(bào)警的報(bào)警器。
7.一種擴(kuò)散插片機(jī),其特征在于,包括上述權(quán)利要求1~6任一項(xiàng)所述的擴(kuò)散退火碎片檢測(cè)裝置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





