[實用新型]一種激光振蕩器

有效

• 申請號: 201922097600.5
• 申請日: 2019-11-28
• 公開（公告）號: CN210490073U
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 尹志軍;葉志霖;吳冰;許志城
• 申請（專利權）人: 南京南智先進光電集成技術研究院有限公司
• 主分類號: H01S3/10
• 分類號: H01S3/10;G02F1/35
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

本申請提供了一種激光振蕩器。激光振蕩器包括激光源和準相位相匹配晶體單元；準相位相匹配晶體單元為長方體形狀，準相位相匹配晶體單元包括兩個第一類晶體和第二類晶體單元，第二類晶體單元包括至少一個第二類晶體。激光從一個第一類晶體的第一側面射入后經第三側面射出，再射入第二類晶體單元的第一側面，再經第二類晶體單元的第三側面射出后，射入另一個第一類晶體的第三側面，再從另一個第一類晶體的第一側面射出。采用本申請實施例提供的激光振蕩器，大大增加了準相位相匹配晶體單元的通光口徑，能夠匹配高功率飛秒脈沖，同時這種結構的激光振蕩器制作成本較低，結構簡單，便于生產。

技術領域

本申請涉及激光技術領域，特別涉及一種激光振蕩器。

背景技術

隨著激光應用范圍的擴大，對激光功率的需求越來越高，導致對激光振蕩器中準相位相匹配晶體的口徑的要求也越來越高，需要越來越大的口徑來匹配激光的功率及能量。如果準相位相匹配晶體的口徑不能滿足激光功率的話，一旦激光功率超過晶體的損傷閾值，晶體就容易被激光損傷。例如，目前的超快激光領域中的高功率飛秒光參量放大中，一般輸入的飛秒脈沖達到了1mJ量級，就需要通光口徑為5mm-10mm的準相位相匹配晶體才能承受該激光能量。

現有技術中，準相位相匹配晶體的制備過程如下：首先將晶體的上下兩面拋光，通過微加工的方法在晶體上下兩面鍍周期性的金屬電極，再在晶體電極上施加超過材料矯頑場電壓，使得晶體中的電疇反轉，形成與周期金屬電極相對應的周期極化結構。通常情況下，晶體厚度為1mm時，需要的電壓一般為數千伏，而晶體的厚度直接影響到準相位相匹配晶體的口徑，晶體越厚，準相位相匹配晶體的口徑也就越大。如果采用增加晶體厚度的方式來增大準相位相匹配晶體的口徑，那么，在制備較厚的晶體時，需要施加非常高的電壓才能夠使得電疇反轉，極易造成晶體被擊穿，并且疇的反轉會產生各種由于高電壓而產生的缺陷。因此，目前常用的激光振蕩器中準位相匹配晶體的厚度一般僅為1mm左右，其通光口徑受到此尺寸限制。

實用新型內容

本申請提供了一種激光振蕩器，可用于解決在現有技術中準相位相匹配晶體的口徑較小的技術問題。

本申請實施例提供一種激光振蕩器，所述激光振蕩器包括激光源和準相位相匹配晶體單元；所述準相位相匹配晶體單元為長方體形狀，所述準相位相匹配晶體單元包括兩個第一類晶體和第二類晶體單元，所述第二類晶體單元包括至少一個第二類晶體；

所述第一類晶體為直三棱柱形狀，所述第一類晶體的頂面和底面為直角三角形，第一側面和第二側面為矩形，第三側面為平行四邊形；

所述第二類晶體單元為直四棱柱形狀，所述第二類晶體單元的所述第二類晶體單元的第一側面和第三側面為平行四邊形，第二側面和第四側面為矩形，且第一側面、第二側面、第三側面和第四側面依次首尾相連；

通過所述第二類晶體單元的第一側面與一個第一類晶體的第三側面相連接，所述第二類晶體單元的第三側面與另一個第一類晶體的第三側面相連接的方式組成所述準相位相匹配晶體單元；其中，兩個第一類晶體的頂面和所述第二類晶體單元的頂面組成所述準相位相匹配晶體單元的前側面，兩個第一類晶體的底面和所述第二類晶體單元的底面組成所述準相位相匹配晶體單元的后側面，一個第一類晶體的第二側面和所述第二類晶體單元的第二側面組成所述準相位相匹配晶體單元的頂面，另一個第一類晶體的第二側面和所述第二類晶體單元的第四側面組成所述準相位相匹配晶體單元的底面；

所述第二類晶體單元的疇極化方向垂直于所述準相位相匹配晶體單元的底面；

激光從一個第一類晶體的第一側面射入后經第三側面射出，再射入所述第二類晶體單元的第一側面，再經所述第二類晶體單元的第三側面射出后，射入另一個第一類晶體的第三側面，再從所述另一個第一類晶體的第一側面射出。

可選地，所述第二類晶體單元包括一個第二類晶體；