[實用新型]集成消隱可調(diào)功能的LED顯示屏行掃描驅(qū)動電路及芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921974230.2
• 申請日: 2019-11-13
• 公開（公告）號: CN210429268U
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李科舉
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市富滿電子集團股份有限公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 北京酷愛智慧知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11514
• 代理人: 占麗君

本實用新型提供的集成消隱可調(diào)功能的LED顯示屏行掃描驅(qū)動電路，狀態(tài)寄存器的一輸入端作為該驅(qū)動電路的設(shè)置端，接外部設(shè)置信號；狀態(tài)寄存器的另一輸入端和移位寄存器的一輸入端作為該驅(qū)動電路的時鐘端，接外部時鐘信號；移位寄存器的另一輸入端作為該驅(qū)動電路的數(shù)據(jù)端，接外部輸入信號；狀態(tài)寄存器的輸出端接參考電壓產(chǎn)生模塊的輸入端，參考電壓產(chǎn)生模塊的輸出端均接至所述輸出驅(qū)動模塊的一輸入端，移位寄存器的多個第一輸出端分別接至輸出驅(qū)動模塊的另一輸入端，輸出驅(qū)動模塊的輸出端作為該驅(qū)動電路的驅(qū)動端，移位寄存器的第二輸出端作為該驅(qū)動電路的輸出端。該驅(qū)動電路采用獨特的消隱技術(shù)，具有消隱電壓可調(diào)功能，可以實現(xiàn)更好的消隱性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及集成消隱可調(diào)功能的LED顯示屏行掃描驅(qū)動電路及芯片。

背景技術(shù)

一般而言,LED顯示屏系統(tǒng)可以分為共陽和Common Group型兩種。共陽系統(tǒng)是指RGB LED的正極連接在一起，每一行掃描線的LED正極都接在一起，行掃工作時，依次給行掃描線供電，然后LED的負極分別做灰度控制的恒流驅(qū)動。由于共陽系統(tǒng)需要RGB一起供電，且R LED的正向壓降要小于G LED和BLED，所以R LED驅(qū)動會浪費較大功耗。該功耗損失在驅(qū)動芯片上，又會引起芯片發(fā)熱嚴重，升高了LED模組的溫度。所以共陽系統(tǒng)具有耗電高，LED模組溫度高的缺點。

Common Group型系統(tǒng)是指RGB LED的負極連接在一起，每一行掃描線的LED負極都接在一起，行掃工作時，依次將行掃描線拉到地，然后LED的正極分別做灰度控制的恒流驅(qū)動。由于Common Group型系統(tǒng)R LED和G LED和B LED的電源可以分開，可以降低R LED的電源電壓，如此降低了R LED驅(qū)動的功耗，節(jié)省了耗電的同時，也降低了LED模組的工作溫度。但是現(xiàn)有技術(shù)針對CommonGroup型系統(tǒng)提供的行掃描驅(qū)動電路消隱效果較差。

實用新型內(nèi)容

因此，本實用新型的目的是提供一種集成消隱可調(diào)功能的LED顯示屏行掃描驅(qū)動電路及芯片，采用獨特的消隱技術(shù)，具有消隱電壓可調(diào)功能，可以實現(xiàn)更好的消隱性能。

第一方面，一種集成消隱可調(diào)功能的LED顯示屏行掃描驅(qū)動電路，包括狀態(tài)寄存器、移位寄存器、參考電壓產(chǎn)生模塊和若干個輸出驅(qū)動模塊；

其中狀態(tài)寄存器的一輸入端作為該驅(qū)動電路的設(shè)置端，接外部設(shè)置信號；狀態(tài)寄存器的另一輸入端和移位寄存器的一輸入端作為該驅(qū)動電路的時鐘端，接外部時鐘信號；移位寄存器的另一輸入端作為該驅(qū)動電路的數(shù)據(jù)端，接外部輸入信號；

狀態(tài)寄存器的輸出端接參考電壓產(chǎn)生模塊的輸入端，參考電壓產(chǎn)生模塊的輸出端均接至所述輸出驅(qū)動模塊的一輸入端，移位寄存器的多個第一輸出端分別接至輸出驅(qū)動模塊的另一輸入端，輸出驅(qū)動模塊的輸出端作為該驅(qū)動電路的驅(qū)動端，移位寄存器的第二輸出端作為該驅(qū)動電路的輸出端。

優(yōu)選地，所述輸出驅(qū)動模塊包括場效應(yīng)管N1、場效應(yīng)管P1、放大器U1、放大器U2、與非門U3、非門U4、開關(guān)S1和過流保護模塊；

其中，所述移位寄存器的第一輸出端接與非門U3的一輸入端，過流保護模塊的輸出端接與非門U3的另一輸入端，與非門U3的輸出端接非門U4的輸入端，非門U4的輸出端接場效應(yīng)管N1的柵極，場效應(yīng)管N1的源極接地，場效應(yīng)管N1的漏極串聯(lián)電阻R1接場效應(yīng)管P1的漏極，場效應(yīng)管P1的源極接高電平；

參考電壓產(chǎn)生模塊的輸出端分別接放大器U1和放大器U2的一輸入端，電阻R1和場效應(yīng)管N1的中間節(jié)點分別接放大器U1和放大器U2的另一輸入端，放大器U2的輸出端接場效應(yīng)管P1的柵極，放大器U1的輸出端通過所述開關(guān)S1接場效應(yīng)管P1的柵極，電阻R1和場效應(yīng)管N1的中間節(jié)點接所述過流保護模塊的輸入端，電阻R1和場效應(yīng)管N1的中間節(jié)點作為所述輸出驅(qū)動模塊的輸出端。

優(yōu)選地，所述場效應(yīng)管P1為PMOS管，場效應(yīng)管N1為NMOS管。