[實用新型]一種槽式濕法花籃有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921920703.0 | 申請日: | 2019-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN210403682U | 公開(公告)日: | 2020-04-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張臨安 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 215129 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 濕法 花籃 | ||
本實用新型公開了一種槽式濕法花籃,其包括端板和花籃桿,端板為兩個,兩個端板間隔設(shè)置,花籃桿為多個,每個花籃桿的兩端分別連接在兩個端板上,每個花籃桿均上設(shè)有兩個卡齒組,每個卡齒組包括多個沿花籃桿長度間隔分布的卡齒,兩個卡齒組沿花籃桿的寬度方向間隔設(shè)置,且兩組卡齒組內(nèi)的多個卡齒沿花籃桿的長度方向錯開設(shè)置,兩個卡齒組中相鄰設(shè)置的兩個卡齒被配置為卡接硅片。該槽式濕法花籃能夠較好地減小硅片上的卡齒印,從而保證了硅片的良品率。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及光伏設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種槽式濕法花籃。
背景技術(shù)
槽式濕法工序,例如制絨、拋光、清洗等工序是制備晶硅太陽能電池的非常重要的工序,而花籃的卡齒印是困擾槽式濕法工序的重要難題之一。目前,花籃大多采用鯊齒狀的卡齒來固定硅片,通過調(diào)整卡齒間距來改善卡齒印。但是,調(diào)整卡齒間距很難在根本上解決卡齒印,一旦卡齒間距過小,卡齒印會比較嚴重,而卡齒間距過大,會產(chǎn)生碎片、粘片等問題。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提出一種槽式濕法花籃,該槽式濕法花籃能夠較好地減小硅片上的卡齒印,從而保證了硅片的良品率。
為實現(xiàn)上述技術(shù)效果,本實施例的槽式濕法花籃的技術(shù)方案如下:
一種槽式濕法花籃,包括:端板,所述端板為兩個,兩個所述端板間隔設(shè)置;花籃桿,所述花籃桿多個,每個花籃桿的兩端分別連接在兩個所述端板上,每個所述花籃桿均上設(shè)有兩個卡齒組,每個所述卡齒組包括多個沿所述花籃桿長度間隔分布的卡齒,兩個所述卡齒組沿所述花籃桿的寬度方向間隔設(shè)置,且兩個所述卡齒組內(nèi)的多個所述卡齒沿所述花籃桿的長度方向錯開設(shè)置,兩個所述卡齒組中相鄰設(shè)置的兩個所述卡齒被配置為卡接硅片。
在一些實施例中,每個所述卡齒均形成為寬度逐漸減小的錐狀齒,兩個所述卡齒組內(nèi)的所述卡齒的錐底相對設(shè)置。
在一些具體的實施例中,每個所述卡齒的橫截面積在遠離所述花籃桿的方向上逐漸減小。
在一些可選的實施例中,兩個所述卡齒組內(nèi)相鄰設(shè)置的兩個所述卡齒的間距為a,a滿足關(guān)系式:1mm≤a≤3mm。
在一些可選的實施例中,所述花籃桿和所述卡齒均為塑料件。
在一些可選的實施例中,所述花籃桿的兩端設(shè)有環(huán)繞所述花籃桿設(shè)置的凸環(huán),所述凸環(huán)被配置為與所述端板相連。
在一些可選的實施例中,所述花籃桿的個數(shù)為四個,所述端板為方形,其中兩個所述花籃桿位于所述端板的上部且間隔設(shè)置,另外兩個所述花籃桿位于所述端板的下部且間隔設(shè)置,位于下部的兩個所述花籃桿設(shè)置在位于上部兩個的所述花籃桿之間。
在一些可選的實施例中,所述端板與多個所述花籃桿為一體成型件。
本實用新型的槽式濕法花籃,由于同一個花籃桿上設(shè)有沿其長度方向錯開分布的兩個卡齒組,可以在不增大卡齒間距的情況下減小硅片與卡齒的接觸面積,增大了硅片的活動空間,增大了卡齒之間的藥液均勻性,從而減小了硅片上的卡齒印,提升了硅片的良品率。
本實用新型的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出,部分將從下面的描述中變得明顯,或通過本實用新型的實踐了解到。
附圖說明
圖1是本實用新型具體實施方式提供的槽式濕法花籃的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實用新型具體實施方式提供的花籃桿的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖標記:
1、端板;
2、花籃桿;21、卡齒;22、凸環(huán)。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





