[實用新型]逆止閥及半導體設備有效
| 申請號： | 201921864390.1 | 申請日： | 2019-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN211010020U | 公開（公告）日： | 2020-07-14 |
| 發明（設計）人： | 檀忠毅;羅義波 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | F16K15/08 | 分類號： | F16K15/08;F16K27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 逆止閥 半導體設備 | ||
1.一種逆止閥，其特征在于，包括：
閥腔，包括供介質進出的進口端和出口端；
閥芯，設置于所述閥腔內，包括閥片及承載座，所述承載座內具有一通孔以使所述承載座呈環形，所述承載座內設置有若干支撐柱，所述閥片設置于所述支撐柱上，至少一個所述支撐柱與所述閥片連接，與所述閥片連接的支撐柱能夠在所述承載座內垂向移動以使所述閥片遮蓋所述通孔或遮蓋所述進口端。
2.如權利要求1所述的逆止閥，其特征在于，所述支撐柱周向均勻設置于所述承載座的環面內，且至少兩個所述支撐柱與所述閥片連接。
3.如權利要求1所述的逆止閥，其特征在于，所述承載座包括設置于所述通孔內的若干支撐架，所述支撐架沿所述承載座的徑向分布且兩端均與所述通孔的側壁連接，所述支撐柱位于所述支撐架內。
4.如權利要求3所述的逆止閥，其特征在于，所述支撐柱包括第一支撐柱和若干第二支撐柱，所述第一支撐柱位于若干所述支撐架的交點處，且所述第一支撐柱與所述閥片連接；所述第二支撐柱位于每個所述支撐架的中心與端部之間的區域內。
5.如權利要求1-4中任一項所述的逆止閥，其特征在于，所述承載座內設置有若干預留孔，一個所述支撐柱插入一個所述預留孔以形成間隙配合。
6.如權利要求5所述的逆止閥，其特征在于，所述支撐柱的至少一端伸出所述預留孔，并使所述閥片與所述承載座之間具有第一間隙。
8.如權利要求1所述的逆止閥，其特征在于，所述承載座的環面上還設置有若干穿孔。
9.如權利要求1所述的逆止閥，其特征在于，所述承載座的外壁與所述閥腔的內壁之間具有第二間隙，所述介質從進口端進入后，至少通過所述第二間隙從所述出口端流出。
10.一種半導體設備，其特征在于，包括反應腔及真空泵，所述反應腔與所述真空泵之間通過排氣管路連接，所述排氣管路上設置有如權利要求1-9中任一項所述的逆止閥。
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