[實(shí)用新型]用于IED照明設(shè)備的低阻值片式電阻器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201921850077.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN210667948U | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王猛;趙武彥;彭榮根;陳勇;郝濤;朱峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昆山厚聲電子工業(yè)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01C7/00 | 分類號(hào): | H01C7/00;H01C1/146 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 郭春遠(yuǎn) |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 ied 照明設(shè)備 阻值 電阻器 | ||
1.用于IED照明設(shè)備的低阻值片式電阻器,包括絕緣基板(10)、正面電極(22)、電阻層(23)和保護(hù)層(24);其特征在于,絕緣基板(10)正面邊沿固定正面電極(22),絕緣基板(10)正面中部固定有電阻層(23),在電阻層(23)外側(cè)表面固定保護(hù)層(24)。
2.如權(quán)利要求1所述的用于IED照明設(shè)備的低阻值片式電阻器,其特征在于,正面電極(22)環(huán)繞電阻層(23)。
3.如權(quán)利要求1所述的用于IED照明設(shè)備的低阻值片式電阻器,其特征在于,保護(hù)層(24)邊緣覆蓋在電阻層(23)邊緣外。
4.如權(quán)利要求1所述的用于IED照明設(shè)備的低阻值片式電阻器,其特征在于,絕緣基板(10)正面相對(duì)二側(cè)邊沿分別固定正面電極(22)。
5.如權(quán)利要求1所述的用于IED照明設(shè)備的低阻值片式電阻器,其特征在于,絕緣基板(10)正面邊沿環(huán)繞固定正面電極(22)。
6.如權(quán)利要求1所述的用于IED照明設(shè)備的低阻值片式電阻器,其特征在于,電阻層(23)邊緣壓接在正面電極(22)結(jié)合面之上。
7.如權(quán)利要求1所述的用于IED照明設(shè)備的低阻值片式電阻器,其特征在于,電阻層(23)厚度大于保護(hù)層(24)。
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