[實用新型]封裝結構及功率模塊

有效

• 申請號: 201921817151.0
• 申請日: 2019-10-25
• 公開（公告）號: CN210429801U
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 黃賀;李寶華;焦琴;金紅元;焦德智;章進法
• 申請（專利權）人: 臺達電子企業管理（上海）有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L25/18;H05K1/18
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 孫寶海;袁禮君

1.一種封裝結構，其特征在于，包括：

PCB，包含基材和設置于基材中的銅塊，所述銅塊包括第一銅塊、第二銅塊以及第三銅塊；

第一開關器件，包括第一端和第二端，所述第一開關器件的第一端與所述第一銅塊電連接，所述第一開關器件的第二端與所述第二銅塊電連接；

第二開關器件，包括第一端和第二端，所述第二開關器件的第一端與所述第二銅塊電連接，所述第二開關器件的第二端與所述第三銅塊電連接。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第一開關器件和所述第二開關器件為分立式開關器件。

3.根據權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述第一開關器件和所述第二開關器件為MOSFET或者IGBT。

4.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，所述第一開關器件和所述第二開關器件為碳化硅MOS器件或者氮化鎵MOS器件。

5.根據權利要求4所述的封裝結構，其特征在于，所述第一開關器件和所述第二開關器件的第一端和第二端分別為所述MOS器件的漏極和源極。

6.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構為半橋電路，所述半橋電路的上橋臂包括多個并聯連接的所述第一開關器件，所述半橋電路的下橋臂包括多個并聯連接的所述第二開關器件。

7.根據權利要求6所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包括5個所述第一開關器件和5個所述第二開關器件。

8.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述銅塊包括表銅層、銅芯層和底銅層；所述銅塊具有第一側面；

所述表銅層具有凸出于所述第一側面的第一突出部；

所述銅芯層具有凸出于所述第一側面的第二突出部；

所述底銅層具有凸出于所述第一側面的第三突出部。

9.根據權利要求8所述的封裝結構，其特征在于，所述基材包括與所述銅塊嵌合的半固化片，所述半固化片的側面與所述銅塊的側面相匹配。

10.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述銅塊的第一表面凸出于所述基材的第一表面，所述銅塊的第二表面凸出于所述基材的第二表面。

11.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述PCB上還設置有正輸入接線端子和負輸入接線端子，所述正輸入接線端子與所述第一銅塊電性連接，所述負輸入接線端子與所述第三銅塊電性連接。

12.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述PCB上還設置有第一交流端子和第二交流端子，所述第一交流端子與所述第二銅塊電性連接，所述第二交流端子與所述第三銅塊電性連接。

13.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述PCB上還設置有連接結構，所述PCB通過所述連接結構與控制板固定并電性連接。

14.一種功率模塊，其特征在于，所述功率模塊包括：

如權利要求1至13任一項所述的封裝結構；

絕緣墊片，位于所述封裝結構下方；

散熱片，位于所述絕緣墊片下方。