[實用新型]天線封裝結構有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921804350.8 | 申請日: | 2019-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN210692529U | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 黃晗;林正忠;吳政達;陳彥亨 | 申請(專利權)人: | 中芯長電半導體(江陰)有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/66 | 分類號: | H01L23/66;H01L21/48;H01L21/56;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/538;H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q1/50 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 佟婷婷 |
| 地址: | 214437 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 天線 封裝 結構 | ||
1.一種天線封裝結構,其特征在于,所述天線封裝結構包括:
重新布線層,所述重新布線層包括第一面以及與所述第一面相對的第二面;
第一天線層,形成于所述第二面上并與所述重新布線層電連接;
金屬饋線柱,形成于所述第一天線層上并與所述第一天線層電連接;
封裝層,包覆所述金屬饋線柱,且所述封裝層顯露所述金屬饋線柱的頂面;
第二天線層,形成于所述封裝層上,且所述第二天線層與所述金屬饋線柱電連接;
至少一個半導體芯片,接合于所述第二天線層遠離所述封裝層一側的表面;以及
圍壩點膠保護層,至少形成于各所述半導體芯片的頂部及四周。
2.根據權利要求1所述的天線封裝結構,其特征在于,所述金屬饋線柱與所述第一天線層的連接部形成有下金屬層,所述金屬饋線柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一種,所述下金屬層的材料包括Ni層與Au層組成的疊層。
3.根據權利要求1所述的天線封裝結構,其特征在于,所述天線封裝結構還包括保護粘附層,所述保護粘附層覆蓋于所述第一天線層上,所述金屬饋線柱經由所述保護粘附層形成于所述第一天線層表面,所述封裝層形成于所述保護粘附層上。
4.根據權利要求1所述的天線封裝結構,其特征在于,所述金屬饋線柱的數量為多個,多個所述金屬饋線柱的布置方式包括:基于所述金屬饋線柱與所述第一天線層及所述第二天線層中的至少一者形成電磁屏蔽結構以實現封裝結構的電磁屏蔽。
5.根據權利要求1所述的天線封裝結構,其特征在于,所述封裝層的材料包括硅膠以及環(huán)氧樹脂中的一種;所述圍壩點膠保護層的材料包括環(huán)氧樹脂。
6.根據權利要求1所述的天線封裝結構,其特征在于,所述半導體芯片的數量為多個,所述半導體芯片包括主動組件及被動組件中的一種,其中,所述主動組件包括電源管理電路、發(fā)射電路及接收電路中的一種,所述被動組件包括電阻、電容及電感中的一種。
7.根據權利要求1-6中任意一項所述的天線封裝結構,其特征在于,所述天線封裝結構還包括底部填充層,所述底部填充層形成于所述半導體芯片與所述第二天線層之間,所述底部填充層和所述圍壩點膠保護層將所述半導體芯片包圍。
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