[實用新型]一種紫外LED芯片和紫外LED芯片封裝結構

有效

• 申請號: 201921787905.2
• 申請日: 2019-10-23
• 公開（公告）號: CN210516752U
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 趙清虎;熊德平;何苗
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 許慶勝

1.一種紫外LED芯片，其特征在于，包括：紫外LED芯片本體、藍色鈣鈦礦量子點層、綠色鈣鈦礦量子點層、紅色鈣鈦礦量子點層和黃色熒光粉層；

所述紫外LED芯片本體、所述藍色鈣鈦礦量子點層、所述綠色鈣鈦礦量子點層、所述紅色鈣鈦礦量子點層和所述黃色熒光粉層依次層疊設置。

2.根據權利要求1所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述紫外LED芯片本體為倒裝結構；

所述藍色鈣鈦礦量子點層設置于背對所述紫外LED芯片本體的凸點的一側。

3.根據權利要求1所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述藍色鈣鈦礦量子點層為Cs₃Bi₂Cl₉層、CsPbCl₃層、CH₃NH₃PbCl₃層或C₆H₅CH₂NH₃Cl層；

所述綠色鈣鈦礦量子點層為CsPbBr₃層、FAPbBr₃層、CH₃NH₃PbBr₃層或C₆H₅CH₂NH₃Br層；

所述紅色鈣鈦礦量子點層為CsPbI₃層、Cs₃Bi₂I₉層、CH₃NH₃PbI₃層、HC(NH₂)₂PbI₃層或C₆H₅CH₂NH₃I層；

所述黃色熒光粉層為硅酸鹽熒光粉層、氮化物熒光粉層或YAG熒光粉層。

4.根據權利要求1所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述藍色鈣鈦礦量子點層的厚度為0.1～1.5mm；

所述綠色鈣鈦礦量子點層的厚度為0.5～1.5mm；

所述紅色鈣鈦礦量子點層的厚度為0.1～0.3mm；

所述黃色熒光粉層的厚度為0.8～1.8mm。

5.一種紫外LED芯片封裝結構，其特征在于，包括權利要求1至4任意一項所述紫外LED芯片。

6.根據權利要求5所述的紫外LED芯片封裝結構，其特征在于，還包括陶瓷基板和焊盤；

所述焊盤設置于所述陶瓷基板上，所述紫外LED芯片與所述焊盤連接。

7.根據權利要求6所述的紫外LED芯片封裝結構，其特征在于，所述紫外LED芯片本體通過凸點與所述焊盤連接；

所述凸點為金合金凸點，所述焊盤的表層為金層。

8.根據權利要求6所述的紫外LED芯片封裝結構，其特征在于，所述焊盤包括正極焊盤和負極焊盤；

所述紫外LED芯片本體的P區與所述正極焊盤連接，所述紫外LED芯片本體的N區與所述負極焊盤連接。

9.根據權利要求8所述的紫外LED芯片封裝結構，其特征在于，所述紫外LED芯片本體的顆數為兩顆以上；

所述紫外LED芯片本體的顆數與所述焊盤的對數相等，一個所述正極焊盤和一個所述負極焊盤形成一對所述焊盤。

10.根據權利要求8所述的紫外LED芯片封裝結構，其特征在于，相鄰所述紫外LED芯片之間電氣串聯連接或電氣并聯連接。