[實用新型]半導體封裝結構及封裝體有效
| 申請號： | 201921741057.1 | 申請日： | 2019-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN210272259U | 公開（公告）日： | 2020-04-07 |
| 發明（設計）人： | 劉杰;應戰 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/52 | 分類號： | H01L21/52;H01L21/60;H01L21/48;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孫佳胤;高翠花 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 封裝 結構 | ||
1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：
襯底晶圓，所述襯底晶圓具有相對設置的第一表面及第二表面，在所述第一表面具有多個凹槽，在所述凹槽底部具有多個導電柱，所述導電柱貫穿所述凹槽底部至所述第二表面；
多個半導體裸片堆疊體，放置在所述凹槽內，且所述半導體裸片堆疊體的上表面低于或者平齊于所述凹槽的上邊緣，所述半導體裸片堆疊體的底部與所述導電柱電連接；
蓋板晶圓，覆蓋在所述襯底晶圓的第一表面，以密封所述凹槽，所述襯底晶圓、所述半導體裸片堆疊體及所述蓋板晶圓之間的間隙未被填充物填充。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，在所述襯底晶圓的第二表面具有多個導電塊，所述導電塊與所述導電柱電連接。
3.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述半導體裸片堆疊體由多個半導體裸片堆疊形成，所述半導體裸片之間電連接，并通過所述半導體裸片堆疊體的底部與所述導電柱電連接。
4.根據權利要求3所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述半導體裸片之間通過貫穿各所述半導體裸片的導電柱及相鄰所述半導體裸片間的導電塊電連接。
5.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述半導體裸片堆疊體的底部與貫穿所述凹槽底部的導電柱之間通過導電塊電連接。
6.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述蓋板晶圓朝向所述襯底晶圓的表面具有多個導電柱，所述導電柱與所述半導體裸片堆疊體的上表面電連接。
7.一種封裝體，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底具有相對設置的第一表面及第二表面，在所述第一表面具有至少一凹槽，在所述凹槽底部具有多個導電柱，所述導電柱貫穿所述凹槽底部至所述第二表面；
至少一半導體裸片堆疊體，放置在所述凹槽內，所述半導體裸片堆疊體的上表面低于或者平齊于所述凹槽的上邊緣，所述半導體裸片堆疊體的底部與所述導電柱電連接；
蓋板，覆蓋在所述襯底的第一表面，以密封所述凹槽，所述襯底、所述半導體裸片堆疊體及所述蓋板之間的間隙未被填充物填充。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
