[實用新型]一種清洗裝置

有效

• 申請號: 201921702479.8
• 申請日: 2019-10-11
• 公開（公告）號: CN210668288U
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

本實用新型實施例涉及半導體清洗設備技術領域，公開了一種清洗裝置，清洗裝置包括：清洗腔室；固定裝置，用于承載并固定待清洗物；第一噴嘴，第一噴嘴內部設有多條液體管路以及多條氣體管路，液體管路至少包括用于向待清洗物噴射第一清洗液的第一液體管路、用于向待清洗物噴射第二清洗液的第二液體管路；氣體管路至少包括第一氣體管路以及第二氣體管路，第一氣體管路及第二氣體管路均用于向待清洗物噴射惰性氣體，第一氣體管路的噴射方向、第一液體管路以及第二液體管路的噴射方向相同，第二氣體管路的噴射方向與第一氣體管路的噴射方向成預設夾角。本實用新型提供的清洗裝置能夠有效避免水痕缺陷，提高清洗質量。

技術領域

本實用新型實施例涉及半導體清洗設備技術領域，特別涉及一種清洗裝置。

背景技術

隨著半導體集成電路制造技術的高速發展，集成電路芯片的圖形特征尺寸已進入到深亞微米階段，導致芯片上超細微電路失效或損壞的關鍵沾污物(例如顆粒)的特征尺寸也隨之大為減小。在集成電路的制造工藝過程中，半導體晶圓通常都會經過諸如薄膜沉積、刻蝕、拋光等多道工藝步驟。而這些工藝步驟就成為沾污物產生的重要場所。為了保持晶圓表面的清潔狀態，消除在各個工藝步驟中沉積在晶圓表面的沾污物，必須對經受了每道工藝步驟后的晶圓表面進行清洗處理。因此，清洗工藝成為集成電路制作過程中最普遍的工藝步驟，其目的在于有效地控制各步驟的沾污水平，以實現各工藝步驟的目標。

現有技術中清洗晶圓的清洗裝置的質量有待提高。

實用新型內容

本實用新型實施方式的目的在于提供一種清洗裝置，其能夠有效避免水痕缺陷，提高清洗質量。

為解決上述技術問題，本實用新型的實施方式提供了一種清洗裝置，包括：清洗腔室；固定裝置，所述固定裝置設置于所述清洗腔室內，用于承載并固定待清洗物；第一噴嘴，所述第一噴嘴設置于所述清洗腔室內，所述第一噴嘴內部設有多條液體管路以及多條氣體管路，所述液體管路至少包括用于向待清洗物噴射第一清洗液的第一液體管路、用于向待清洗物噴射第二清洗液的第二液體管路；所述氣體管路至少包括第一氣體管路以及第二氣體管路，所述第一氣體管路及所述第二氣體管路均用于向待清洗物噴射惰性氣體，所述第一氣體管路的噴射方向、所述第一液體管路以及所述第二液體管路的噴射方向相同，所述第二氣體管路的噴射方向與所述第一氣體管路的噴射方向成預設夾角，所述預設夾角大于0度且小于或等于90度。

另外，所述液體管路還包括用于向待清洗物噴射干燥液的第三液體管路，所述第三液體管路的噴射方向與所述第一液體管路的噴射方向相同。通過向待清洗物表面噴射干燥液，達到快速干燥待清洗物的效果。

另外，所述清洗裝置還包括具有多個通孔的助噴射結構，所述助噴射結構設置于所述第一噴嘴的下方，所述第一氣體管路噴出的惰性氣體經由所述多個通孔噴向待清洗物。

另外，所述多個通孔包括第一孔和第二孔，所述第一氣體管路噴出的惰性氣體經由所述第一孔噴向待清洗物；所述第一液體管路、所述第二液體管路以及所述第三液體管路穿過所述第二孔。

另外，所述第二氣體管路包括圍繞所述第一噴嘴的環形開口，所述惰性氣體經由所述環形開口噴出。

另外，所述第二氣體管路包括圍繞所述第一噴嘴的具有至少四個開口的噴射孔，所述惰性氣體經由所述開口噴出。

另外，所述清洗腔室包括進風裝置及排風裝置，所述進風裝置用于向所述清洗腔室內噴氣，所述排風裝置用于將所述清洗腔室內的氣流排出。通過設置進風裝置及排風裝置，能夠在待清洗物進入清洗腔室之前對清洗腔室進行清潔，從而維持清洗腔室的潔凈。

另外，所述進風裝置包括進風管道以及與所述進風管道連通的噴氣結構，所述噴氣結構用于將所述進風管道中的氣體噴向所述清洗腔室。